| 发明名称 | 导线的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种导线的制造方法。此方法先提供一基底，基底上已形成一层多晶硅层。然后，于多晶硅层上形成一层掩模层，其具有一开口暴露出多晶硅层。接着，于掩模层的侧壁形成间隙壁。继而，以具有间隙壁的掩模层为掩模，移除部分多晶硅层，以暴露出基底。之后，再于基底上形成填满开口的绝缘层，绝缘层与掩模层具有不同蚀刻选择性。接下来，移除掩模层，以暴露出多晶硅层。然后，于多晶硅层表面形成一金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1855387A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510065608.3 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张骕远;黄明山;许汉杰 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种导线的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一多晶硅层；于该多晶硅层上形成一掩模层，该掩模层具有一开口暴露出该多晶硅层；于该掩模层的侧壁形成一间隙壁；以具有该间隙壁的该掩模层为掩模，移除部分该多晶硅层，以暴露出该基底；于该基底上形成填满该开口的一绝缘层，该绝缘层与该掩模层具有不同蚀刻选择性；移除该掩模层，以暴露出该多晶硅层；以及于该多晶硅层表面形成一金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||