发明名称 |
成膜方法以及半导体器件和环状记录媒体的制造方法 |
摘要 |
提供一种成膜方法、半导体器件的制造方法、记录媒体的制造方法。在向被处理衬底上涡旋状供给药液进行成膜的技术中,抑制向被处理衬底外排出药液,同时形成均匀薄膜。所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是边旋转该衬底,边从该衬底的大约中心向该衬底的外周相对地移动所述滴下部,随着从所述被处理衬底的大约中心向外周的所述滴下部的相对移动,降低该衬底的转速,同时增加该滴下部来的所述液体的供给速度v,使该液膜不因滴下的液膜受到离心力而引起该液膜移动,并在被处理衬底上形成液膜。 |
申请公布号 |
CN1282991C |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN01121300.0 |
申请日期 |
2001.04.27 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
伊藤信一;奥村胜弥 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种成膜方法,是利用滴下液体的滴下部和位于该滴下部的垂直下方的被处理衬底,边将从该滴下部滴下到该衬底上的液体保留于该被处理衬底上,边相对地移动该被处理衬底或该滴下部,在被处理衬底上形成液膜的液膜形成方法,其特征在于:所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的内周部向该衬底的外周部相对地移动所述滴下部,将所述液体螺旋状滴下到所述被处理衬底上;随着从所述被处理衬底的内周部向外周部的所述滴下部的相对移动,要降低该衬底的转速w,同时增加从该滴下部来的所述液体的供给速度v,使之不因滴下的液膜所受的离心力而引起滴下的该液膜移动,并在所述被处理衬底上形成液膜,或者,所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的外周部向该衬底的内周部相对地移动上述滴下部,将所述液体螺旋状滴下到所述被处理衬底上;随着从所述被处理衬底的外周部向内周部的所述滴下部的相对移动,要增加该衬底的转速w,同时降低从该滴下部来的所述液体的供给速度v,使之不因滴下的液膜所受的离心力而引起滴下的该液膜移动,并在所述被处理衬底上形成液膜。 |
地址 |
日本神奈川县 |