发明名称 A method for forming metal wire using difference of gas partial pressure in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100640162(B1) 申请公布日期 2006.10.31
申请号 KR19990024880 申请日期 1999.06.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/203 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
主权项
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