| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de tirage d'au moins un ruban d'un matériau semi-conducteur (40-42) selon lequel deux filaments (24-26) parallèles et espacés l'un de l'autre traversent verticalement, de bas en haut et à vitesse continue, la surface d'un bain dudit matériau semi-conducteur fondu, le ruban (40-42) se formant à partir d'un ménisque situé entre les filaments et sensiblement au niveau de ladite surface.Selon l'invention, une bande support (22) est interposée entre les filaments (24-26), la bande support (22) traversant verticalement, de bas en haut et à vitesse continue, la surface du bain de matériau semi-conducteur fondu à la même vitesse de défilement que les filaments, le ruban de matériau semi-conducteur (40-42) étant alors formé sur l'une des deux faces de la bande support et étant supporté par ladite face.Application à la réalisation de rubans de silicium polycristallin pour la fabrication de cellules photovoltaïques.
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