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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements, insbesondere eines DRAM-Halbleiterspeichers oder eines Feldeffekttransistors, bei dem mindestens ein Kondensator (150) mit einem Dielektrikum (130) und zumindest einer Anschlusselektrode (120, 140) hergestellt wird. DOLLAR A Um zu erreichen, dass die hergestellten Kondensatoren auch bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen ein möglichst gutes Speicherverhalten zeigen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass das Dielektrikum (130) oder die Anschlusselektroden (120, 140) derart ausgebildet werden, dass transiente Polarisationseffekte verhindert, zumindest reduziert werden.
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