| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitereinrichtung mit beim Ausbilden einer Stromdiffusionsschicht aktiv geänderter Wachstumsrate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10003065(B4) |
申请公布日期 |
2006.10.26 |
| 申请号 |
DE2000103065 |
申请日期 |
2000.01.25 |
| 申请人 |
SHARP K.K. |
发明人 |
NAKAMURA, JUNICHI;NAKATSU, HIROSHI;SASAKI, KAZUAKI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/36 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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