Verfahren zur Bildung einer LP-CVD-Oxidschicht ohne Oxidieren einer darunter liegenden Metallschicht

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements schließt ein: Bilden einer LP-CVD-Oxidschicht auf Seiten eines Gates, einschließlich einer Metallschicht, mittels eines LP-CVD-Verfahrens, welches keine Oxidation der Metallschicht verursacht. Eine Oxidation einer Metallschicht kann physikalisch verhindert werden, und es kann eine Verschlechterung der elektrischen Bauelementeigenschaften verhindert werden.