超晶格纳米器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种超晶格纳米器件及其制作方法。该超晶格纳米器件包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。本发明是通过在一维纳米结构的侧面沉积多层膜结构的方法获取超晶格纳米器件，其可兼容目前较成熟的制作二维超晶格材料的工艺技术，大大降低了其制作难度；且其克服了VLS生长纳米线技术中要求超晶格材料与金属催化剂之间形成合金或固溶体等不足，进而可制备种类较多的超晶格纳米器件。

主权项

1.一种超晶格纳米器件，其包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。