| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明，在该半导体装置中，能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂，维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置(1)备有半导体基板(10)、配线基板(20)、导电性突起(30)和树脂(32)。在半导体基板(10)中形成有CCD(12)和薄型化部分(14)。半导体基板(10)的电极(16)经过导电性突起(30)与配线基板(20)的电极(22)连接。又，在配线基板(20)中，形成包围与薄型化部分(14)相对向的区域的沟槽部(26a)和从沟槽部(26a)延伸到配线基板(20)的露出面的沟槽部(26b)。在薄型化部分(14)的外缘部分(15)与配线基板(20)之间的空隙中，为了增强导电性突起(30)的接合强度，充填绝缘性树脂(32)。 | ||
| 申请公布号 | CN1853273A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200480026660.1 | 申请日期 | 2004.09.24 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 小林宏也;村松雅治 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L31/02(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，该半导体基板包括：形成在一个面上的光检测单元、通过蚀刻另一个面的与所述光检测单元相对向的区域形成的薄型化部分、和设置在该薄型化部分的外缘部分的所述一个面上的、与所述光检测单元电连接的第一电极；具有对向配置在所述半导体基板的所述一个面侧的、经过导电性突起与所述第一电极连接的第二电极的配线基板；和为了增强所述第一电极和所述第二电极中的各个电极与所述导电性突起的接合强度，充填在所述薄型化部分的外缘部分与所述配线基板之间的空隙中的树脂，在所述配线基板中，形成有包围与所述薄型化部分相对向的区域的沟槽部和从该沟槽部延伸到该配线基板的露出面的连通单元。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||