发明名称 叠合标记的结构以及其形成方法
摘要 本发明提出一种形成叠合标记的方法,此方法是首先在一基底上形成一材料层,并且图案化材料层以形成一外部标记。接着,在材料层上形成一第一膜层,并且进行一平坦化步骤,以移除部分第一膜层。之后,在材料层上形成一第二膜层,覆盖第一膜层,其中第二膜层的应力是与第一膜层的应力不同。然后移除外部标记上方的第二膜层,再于外部标记的内围形成一内部标号。由于本发明将外部标记上方的第二膜层移除,因此可以避免高应力的第二膜层会有沉积厚度不均匀的情形,而造成叠合标记的量测产生错误。
申请公布号 CN1282218C 申请公布日期 2006.10.25
申请号 CN03148238.4 申请日期 2003.07.03
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 颜裕林;张庆裕
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种形成叠合标记的方法,其特征是,该方法包括:在一基底上形成一材料层;图案化该材料层,以形成一外部标记;在该材料层的表面上形成一第一膜层;进行一平坦化步骤,以移除部分该第一膜层;在该材料层上形成一第二膜层,覆盖该第一膜层,其中该第二膜层的应力是与该第一膜层的应力不同;移除该外部标记上方的该第二膜层;以及在该外部标记的内围形成一内部标号。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号