| 发明名称 |
NON-VOLATILE MEMORY CELL USING HIGH-K MATERIAL AND INTER-GATE PROGRAMMING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1714292(A1) |
申请公布日期 |
2006.10.25 |
| 申请号 |
EP20050726312 |
申请日期 |
2005.01.10 |
| 申请人 |
SANDISK CORPORATION |
发明人 |
MOKHLESI, NIMA;LUTZE, JEFFREY, W. |
| 分类号 |
H01L27/115;G11C16/04;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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