半导体器件及其制造方法

摘要

根据本发明，叠层FeRAM使用一种结构，其中该位线形成在所述铁电电容器的上方。该字线被形成为使得它在接近于该接触插塞的区域偏离该相对的另一条字线，并且在不接近该接触插塞的区域移向该另一条字线，并且该接触孔被形成为使得它相对于相关板条线的纵向中线交替地偏移。

主权项

1.一种半导体器件，包括：基片；多个存储单元晶体管，其形成在所述基片上并且在第一方向和与第一方向不同的第二方向上按照阵列方式排列，每个存储单元晶体管被提供有第一和第二扩散区；铁电电容器，其通过第一接触插塞连接到所述每个存储单元晶体管内的第一扩散区；多条位线，其形成在所述铁电电容器上方，通过第二接触插塞连接到设置在所述第一方向上的所述存储单元晶体管的第二扩散区，每条位线在所述第一方向上延伸，并且被设置为在所述第二方向上相互相邻；多条字线，其形成在每个存储单元晶体管的第一和第二接触插塞之间，每条字线在所述第二方向上延伸，并且被设置为在所述第一方向上相互相邻；以及多条板条线，其在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上设置为相互相邻，该板条线通过多个接触孔连接到设置于第二方向上的一组铁电电容器的上电极；其中每条所述字线在接近所述第二接触插塞的区域中被弯曲远离相对的另一条字线，并且在其他区域中向着所述另一条字线弯曲；以及所述多个接触孔相对于该板条线的纵向中线交替地偏移。