| 发明名称 | 紧凑磁阻随机访问存储器单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造紧凑磁阻随机访问存储器单元的方法，包括步骤：提供在其上具有隔离晶体管的半导体基底；在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠；在与互连堆叠的上端相邻的位置设置数元线；和在互连堆叠的上端形成通孔，以便从数元线下面的位置延伸到数元线上面的位置。通孔还在电介质层(20)的上表面上延伸以提供对准键。MTJ存储器单元位于与通孔接触的上表面，并且使用侧壁隔层和选择性蚀刻从磁材料的栓固边缘的端部分隔磁材料自由层的端部。 | ||
| 申请公布号 | CN1282239C | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN01814932.4 | 申请日期 | 2001.08.09 |
| 申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | 马克·杜尔拉姆;马克·德和雷拉;尤金·陈;赛德·特拉尼;格罗利亚·科斯考斯基;彼得·K·纳吉;乔恩·斯劳伏特;科利·W·凯勒 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L27/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种制造紧凑磁阻随机访问存储器单元的方法，包括步骤：提供在其上具有隔离晶体管的半导体基底；在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠；在与互连堆叠的上端相邻的位置设置数元线；和在互连堆叠的上端形成通孔，以便从数元线下面的位置延伸到数元线上面的位置。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||