| 发明名称 | 顶针装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体刻蚀设备。本发明顶针装置包括顶针，其中顶针包括顶针主体和顶针顶杆，其中在顶针主体内设有插槽，插槽内插装顶针顶杆，顶针顶杆的底端面与插槽底壁之间设有空间，该空间内装有高度变形器和位置传感器，其中高度变形器的变形量为0.05～1.2mm。本发明的积极效果是通过采用可伸缩的顶针，测量顶针顶杆上升过程中与晶片接触时弹簧的变形量，来测量晶片残余电荷的情况，待残余电荷释放后，顶起晶片完成机械手传片。同时能够避免由于晶片残余电荷引起的跳片现象、甚至晶片破碎情况；同时由于能够实现晶片残余电荷的测量，能够确定地知道晶片是否带电情况，避免了通过时间控制来释放残余电荷造成的生产效率低的情况。 | ||
| 申请公布号 | CN1851898A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126355.6 | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 赵梦欣 |
| 分类号 | H01L21/687(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/687(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王常风 |
| 主权项 | 1.顶针装置，包括顶针(4)，其特征在于所述顶针(4)包括顶针主体(15)和顶针顶杆(11)，其中在所述顶针主体(15)内设有插槽，插槽内插装所述顶针顶杆(11)，顶针顶杆(11)的底端面与插槽底壁之间设有空间(16)，该空间内装有高度变形器(12)和位置传感器(14)，其中高度变形器(12)的变形量为0.05～1.2mm。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||