| 发明名称 | 一种硅片卸载工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可以去除刻蚀工艺过程中产生的聚合物的硅片卸载工艺，该工艺包括两个步骤：(1)初步硅片卸载；(2)消除静电卡盘表面残余电荷并去除图形硅片表面的聚合物。其中步骤(1)所使用的气体选自He和N<SUB>2</SUB>中的一种或其组合，步骤(2)所使用的气体为He和O<SUB>2</SUB>的混合气体或N<SUB>2</SUB>和O<SUB>2</SUB>的混合气体。利用本发明的工艺，在起到硅片卸载作用的同时还能够减少图形硅片刻蚀后表面的聚合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1851850A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126284.X | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 荣延栋 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 司君智 |
| 主权项 | 1、一种硅片卸载工艺，包括以下两个步骤：(1)初步硅片卸载；(2)消除静电卡盘表面残余电荷并去除图形硅片表面的聚合物；其特征在于步骤(1)中所使用的气体为He和N2中的一种或其组合。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||