| 发明名称 | 半导体激光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置(1)，其特征在于包括：具有结合金属部件构成的冷却器本体(21)、在冷却器本体(21)的内部形成的流体流路(30)、外壁面(22)上的冷却区域(23)、以及保留冷却区域(23)并连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上的树脂层(40)的散热片(20)；以及在与外壁面(22)保持热接触的状态下被配置在冷却区域(23)中的半导体激光元件(80)。保留冷却区域(23)，用树脂层40连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上，实现防止内壁面与外壁面接触的部分附近的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1853321A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200480026620.7 | 申请日期 | 2004.12.16 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 菅博文;宫岛博文;渡边信雄 |
| 分类号 | H01S5/024(2006.01);H01L23/473(2006.01) | 主分类号 | H01S5/024(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光装置，其具有散热片和半导体激光元件，其特征在于：所述散热片包括结合金属部件构成的冷却器本体；在所述冷却器本体的内部形成的具有流体的流入口以及流出口的流体流路；在所述冷却器本体的外壁面上进行冷却的冷却区域；以及保留所述冷却区域，连续地覆盖在所述外壁面上和所述冷却器本体的内壁面上，防止所述金属部件和所述流体接触的树脂层，其中，所述半导体激光元件在与所述外壁面保持热接触的状态下被配置在所述冷却区域中。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||