图形形成方法和应用该方法的半导体器件的制造方法

摘要

在半导体基体之上的被加工层(13)之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层(14a)。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层(14a)变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层(14a)之间形成了埋入膜(15)后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层(14a)。借助于此，使第2图形化层(15a)剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层(13)。然后，以基底的被加工层(13)为掩模，刻蚀例如铝膜(12)。

主权项

1.一种图形形成方法，包括：在半导体基体之上形成要加工的第1层；在上述第1层之上形成光致抗蚀剂层；通过使上述光致抗蚀剂层图形化，形成具有多个图形的第1图形化层；通过包括化学处理和能束照射处理中的某一个的处理使上述第1图形化层的图形的宽度变细或加粗；在上述第1图形化层的图形间的间隙中以埋入的方式形成第2图形化层；残留埋入的第2图形化层而去除第1图形化层；以上述第2图形化层为掩模使上述第1层图形化；以图形化后的上述第1层为掩模，进而使在其下层上形成的材料图形化。