| 发明名称 | 一种可调整局部耦合强度的ICP线圈 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电感耦合等离子体装置线圈。本发明公开的一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其中，线圈基体上串连若干个螺旋线圈。本发明能够任意调整线圈与等离子体局部的耦合强度，使晶片加工反应腔室中等离子体均匀分布，从而改变局部的刻蚀速率，改善晶片刻蚀均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1851844A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126283.5 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 申浩南 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01J37/32(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 司君智 |
| 主权项 | 1、一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其特征在于：所述线圈基体上串连若干个螺旋线圈。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||