| 发明名称 | 基板处理方法和基板处理装置 | ||
| 摘要 | 在本发明的基板处理方法和基板处理装置中，用被活化的NF<SUB>3</SUB>气体除去在MOSFET(11)的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表层上形成的自然氧化膜，在已除去该自然氧化膜的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表面上形成Co膜(91)，对该MOSFET进行低温退火，以使该Co膜(91)与栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的硅化合物反应，从而在该硅化合物的表层上形成金属硅化物层。因此，能够提供一种不需要受热历程会对基板中杂质的分布产生不利影响的高温退火的处理方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1853259A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200480026871.5 | 申请日期 | 2004.09.01 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小林保男;桥本毅 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：用被活化的反应气体除去在硅化合物的表层上形成的氧化膜的工序；在已除去该氧化膜的硅化合物的表面上形成金属膜的工序；使该成膜的金属与硅化合物反应，在所述硅化合物的表层上形成金属硅化物的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||