| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：在形成了半导体元件的晶片的元件形成面一侧形成切口；在上述晶片的元件形成面一侧粘贴具有伸展性的表面保护带；以上述切口为起点、沿结晶方位解理上述晶片；以及伸展上述表面保护带，在解理面分开的状态下进行上述晶片的背面磨削。由此，能减少芯片侧面发生的条痕及元件形成面一侧形成的崩裂，并能抑制减薄了厚度的芯片的抗折强度的下降。 | ||
| 申请公布号 | CN1282227C | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN02152988.4 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 田久真也;黑泽哲也 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：在形成了半导体元件的晶片的元件形成面一侧形成切口；在上述晶片的元件形成面一侧粘贴具有伸展性的表面保护带；以上述切口为起点、沿结晶方位解理上述晶片；以及伸展上述表面保护带，在解理面分开的状态下进行上述晶片的背面磨削。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||