ⅠB－ⅢA－ⅥA族四元或更多元合金半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及制备IB－IIIA－VIA族四元或更多元合金半导体薄膜的方法，其中该方法包括步骤(i)提供包含IB族和IIIA族金属的混合物的金属薄膜；(ii)在第一VIA族元素(所述第一VIA族元素下文中表示为VIA₁)源存在下热处理金属薄膜，其条件以形成包含至少一种二元合金和至少一种IB－IIIA－VIA₁族三元合金的混合物的第一薄膜，所述二元合金选自IB－VIA₁族合金和IIIA－VIA₁族合金；(iii)在第二VIA族元素(所述第二VIA族元素下文中表示为VIA₂)源存在下可选的热处理第一薄膜，其条件以将第一薄膜转换为第二薄膜，第二薄膜包含选自IB－VIA₁－VIA₂族合金和IIIA－VIA₁－VIA₂族合金的至少一种合金和至少一种步骤(ii)的IB－III－VIA₁族三元合金；(iv)热处理第一薄膜或第二薄膜以形成IB－IIIA－VIA族四元或更多元合金半导体。

主权项

1.一种制备IB-IIIA-VIA族四元或更多元合金半导体薄膜的方法，该方法包括步骤：(i).提供包含IB族和IIIA族金属的混合物的金属薄膜；(ii).在第一VIA族元素(所述第一VIA族元素下文中表示为VIA1)源存在下热处理金属薄膜，其条件以形成包含至少一种二元合金和至少一种IB-IIIA-VIA1族三元合金的混合物的第一薄膜，所述二元合金选自IB-VIA1族合金和IIIA-VIA1族合金；(iii).在第二VIA2族元素(所述第二VIA族元素下文中表示为VIA2)源存在下可选的热处理第一薄膜，其条件以将步骤(ii)的第一薄膜转换为第二薄膜，第二薄膜包含选自IB-VIA1-VIA2族合金和IIIA-VIA1-VIA2族合金的至少一种合金和至少一种步骤(ii)的IB-IIIA-VIA1族三元合金；和(iv).热处理步骤(ii)的第一薄膜或步骤(iii)的第二薄膜以形成IB-IIIA-VIA族四元或更多元合金半导体薄膜。