| 发明名称 | 具有三元化合物沟道层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种包括源电极(20，82)、漏电极(22，84)和与源电极(20，82)与漏电极(22，84)相连的沟道(18，92)的半导体器件。所述沟道(18，92)由含锌、锡和氧的三元化合物形成。所述半导体器件还包括栅电极(12，80)，该栅电极配置成可将电场加到所述沟道(18，92)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1853278A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200480027030.6 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司;俄勒冈州大学 | 发明人 | R·霍夫曼;H·蒋;J·沃格 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：源电极(20，82)；漏电极(22，84)；连接到源电极(82)和漏电极(84)的、由含锌、锡和氧的三元化合物组成的沟道(18，92)；以及配置成允许将电场加到沟道(18，92)的栅电极(12，80)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||