| 发明名称 | 一种减小等离子损伤的刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种减小等离子损伤的刻蚀工艺，它在主刻蚀1和主刻蚀2步骤之间增加非反应气体的等离子过程。本发明所述的刻蚀工艺能释放积累的电荷，有效减少等离子损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN1851878A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126287.3 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 孙静 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 司君智 |
| 主权项 | 1、一种减小等离子损伤的刻蚀工艺，其特征在于在主刻蚀1和主刻蚀2步骤之间增加非反应气体的等离子过程。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||