| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器。为了避免产生COD，在主体的发光端面附近的部分改善了散热性。具有用于发射激光的发光端面(150a)的主体(150)形成于半导体衬底，n型GaAs半导体衬底上。沿腔方向上，形成在主体(150)上发光端面(150a)附近的镀覆金属层(112)的前端部分(112a)的厚度比镀覆金属层(112)的中心部分(112b)的厚度厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1851991A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200610077737.9 | 申请日期 | 2006.04.24 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 国政文枝 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01S5/22(2006.01);H01S5/024(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，包括：半导体衬底；主体，形成于所述半导体衬底上并且具有用于发射激光的发光端面；和镀覆金属层，形成于所述主体上，其中沿腔方向上，在发光端面附近的镀覆金属层的前端部分的厚度大于所述镀覆金属层的中心部分的厚度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||