| 发明名称 | 一种直拉硅片的内吸杂工艺 | ||
| 摘要 | 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并在该温度保温热处理2-16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。 | ||
| 申请公布号 | CN1282231C | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200410053864.6 | 申请日期 | 2004.08.17 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳;杨德仁;田达晰;宫龙飞;李立本;阙端麟 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/322(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种直拉硅片的内吸杂工艺，其特征是步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并在该温度保温热处理2-16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃以下，被缓缓取出热处理炉。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||