双栅极场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有与前栅极对准的背栅极的平面双栅极场效应晶体管器件的制造方法。通过在部分背栅极中产生载流子耗尽区，本发明的方法实现了这种对准。载流子耗尽区降低了源/漏区和背栅极之间的电容，由此提供了高性能的自对准的平面双栅极场效应晶体管。本发明也提供了具有与前栅极对准的后栅极的平面双栅极场效应晶体管器件。通过在部分背栅极中提供载流子耗尽区实现了前栅极与背栅极的对准。

主权项

1.一种双栅极场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：提供叠置的双栅极结构，该结构包括至少背栅极、位于背栅极之上的背栅极介质、位于背栅极介质之上的沟道层、沟道层上的前栅极介质以及位于前栅极介质之上的前栅极；构图叠置的双栅极结构的前栅极；在构图的前栅极的露出侧壁上形成侧壁间隔层；以及在背栅极的一部分中形成载流子耗尽区，其中所述载流子耗尽区使前栅极和背栅极对准，并包括非晶区或气泡层。