| 发明名称 | 一种硅片脱附工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种新的硅片脱附工艺，该工艺包括两个步骤：用待起辉气体吹扫硅片；用上述步骤中的气体进行起辉。其中起辉时的气体流量为25－500sccm，腔室内的压强为10－85mT，上电极功率为150－850W。采用本发明的静电卡盘脱附方法，可以很好的去除硅片表面的残留物和颗粒，并且卡盘可以平稳脱附。 | ||
| 申请公布号 | CN1851857A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126377.2 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张庆钊 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/683(2006.01);C23F1/12(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡世英 |
| 主权项 | 1、一种硅片脱附工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)用待起辉气体吹扫硅片；(2)用步骤(1)中的气体起辉；其中步骤(1)中的气体流量为50-300sccm，腔室内的压强为0-20mT，上电极功率为0W。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||