| 发明名称 | 减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子技术领域。本发明公开的一种减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法，包括：反应室、真空规及真空规上的加热带、连接反应室和真空规的连接管道，还包括：隔离阀、真空开关、隔离阀上的加热带、连接管道上的加热带，其中，隔离阀设在连接管道上，真空开关设在反应室上。方法：1)将真空开关的设定动作点设置为真空规满流程的100％－150％之间；2)当反应室压力大于真空开关设定点时，关闭隔离阀；3)当反应室压力小于真空开关设定点时，开启隔离阀。本发明能够减少工艺反应副产物和颗粒在真空规内部薄膜上的淀积和附着；防止薄膜式电容真空规零点漂移，提高工艺稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1851853A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126344.8 | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 南建辉 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/67(2006.01);C23C14/22(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23F4/00(2006.01);G01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王常风 |
| 主权项 | 1、一种减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置，包括反应室(2)、真空规(1)及真空规(1)上的加热带(4)、连接反应室(2)和真空规(1)的连接管道(3)，其特征在于包括：隔离阀(5)、真空开关(6)、隔离阀上的加热带(7)、连接管道上的加热带(8)，其中，隔离阀(5)设在连接管道(3)上，真空开关(6)设在反应室(2)上。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||