发明名称 |
硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法。它是将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除比氢活泼的金属,用硝酸溶解硅片表面上的铜或银,用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂,再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物,纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片。所得的硝酸银溶液中加比氢活泼的金属置换得到银,溶解金和铂的王水中加热或加碱除去过量的盐酸和硝酸,剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。本发明有效去除了废弃硅片表面的金属杂质和金属硅化物,处理后的硅片可作为太阳能硅单晶的原料,也可进一步加工成太阳能电池硅片,同时又回收了贵金属,有利于资源的循环利用。 |
申请公布号 |
CN1851016A |
申请公布日期 |
2006.10.25 |
申请号 |
CN200610051701.3 |
申请日期 |
2006.05.30 |
申请人 |
姜益群 |
发明人 |
姜益群 |
分类号 |
C22B7/00(2006.01);C22B11/00(2006.01);B08B3/08(2006.01) |
主分类号 |
C22B7/00(2006.01) |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
张法高 |
主权项 |
1.一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法,其特征在于方法的步骤如下:1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属,用硝酸溶解硅片表面上的铜或银,用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂,再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物,纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片,氧化反应温度为30~80℃;2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸,所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银;3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸,剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。 |
地址 |
310013浙江省杭州市玉古路147号浙江大学求是村黄鸿年科技综合楼720室 |