| 主权项 |
1.一种半导体封装构造,具有至少一侧面,该半导体封装构造包含:一晶片,具有一主动表面,一相对之背面、复数个接垫配置于该主动表面上、及一光学元件配置于该主动表面上并与该晶片电性连接;复数个导通孔,贯穿该晶片,且电性连接于该等接垫,其中该等导通孔系裸露于该侧面;一外盖,设置于该晶片之主动表面上;以及复数个金属线路,配置于该晶片之背面,电性连接于该等导通孔,并界定复数个焊垫。2.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含复数个接垫延伸线路,用以将该等导通孔电性连接于该等接垫。3.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含复数个顺应垫,配置于该晶片之背面与该金属线路之间,并与该等焊垫相对应。4.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含一防焊层,覆盖于该晶片之背面及该金属线路上,并裸露出该焊垫。5.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含复数个锡球,配置于该等焊垫上。6.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该外盖系由透明之材料所制得。7.依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该透明之材料系由玻璃、压克力树脂及钢石(sapphire)所组成之群组中选出。8.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该光学元件系为互补性金属氧化半导体(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor;CMOS)。9.依申请专利范围第3项之半导体封装构造,其中该顺应垫系为感光性苯环丁烯聚合物(PhotosensitiveBenzocyclobutene Polymer)所制得。10.依申请专利范围第4项之半导体封装构造,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(PhotosensitiveBenzocyclobutene Polymer)所制得。11.一种半导体封装构造之制造方法,包含下列步骤:提供一晶圆,其界定一主动表面及一相对的背面,并具有复数个晶片及复数条切割道位于该等晶片之间,每一晶片具有复数个接垫以及一光学元件配置于该主动表面上,其中该光学元件系与该晶片电性连接;于该晶圆之主动表面上,形成复数个接垫延伸线路个别地电性连接至该等接垫;于该晶圆之切割道上,形成复数个孔洞,贯穿该等接垫延伸线路;于该等孔洞内形成导电材料,以形成复数个导通孔,电性连接于该等接垫延伸线路;提供一外盖,设置于该晶圆之主动表面上;于该晶圆之背面上形成复数个金属线路,电性连接于该等导通孔,并界定复数个焊垫;以及切割该晶圆,以形成个别之半导体封装构造。12.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该等孔洞之形成步骤之前,在该晶片之主动表面及该接垫上涂布一光阻剂;以及于该等孔洞之形成步骤之后,剥除该光阻剂。13.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:研磨该晶圆之背面,使该晶圆之厚度降低至一预定的厚度,并裸露出该等导通孔。14.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之背面上形成复数个顺应垫,对应于该焊垫。15.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之背面,涂覆一防焊层,并裸露出该金属线路之焊垫。16.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于每一孔洞内之表面上形成一绝缘层。17.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:配置复数个锡球于该等金属线路之焊垫上。18.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,其中该外盖系由透明之材料所制得。19.依申请专利范围第18项之半导体封装构造之制造方法,其中该透明之材料系由玻璃、压克力树脂及钢石(sapphire)所组成之群组中选出。20.依申请专利范围第11项之半导体封装构造之制造方法,其中该光学元件系为互补性金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semieonductor;CMOS)。21.依申请专利范围第14项之半导体封装构造之制造方法,其中该顺应垫系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzoeyelobutene Polymer)所制得。22.依申请专利范围第15项之半导体封装构造之制造方法,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzoeyelobutene Polymer)所制得。图式简单说明:第1图为根据本发明之一实施例之半导体封装构造之剖面示意图。第2至15图系用以说明根据本发明之一实施例之半导体封装构造之制造方法。 |
