发明名称 双层立体结构之制法以及具有该双层立体结构之三维光子晶体
摘要 一种双层立体结构之制法,该制法系先于一透明基板上形成一混有感光染料之感光性高分子层,接着于该感光性高分子层之两表面分别形成复数个曝光区以及未曝光区,最后再除去该感光性高分子层两表面之未曝光区,以形成一双层立体结构,俾简化制程。
申请公布号 TWI264577 申请公布日期 2006.10.21
申请号 TW093141708 申请日期 2004.12.31
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 廖文昌;许联崇;郑瑞庭
分类号 G02B6/12 主分类号 G02B6/12
代理机构 代理人
主权项 1.一种双层立体结构之制法,系包括:于一透明基板上形成一混有感光染料之感光性高分子层;于该感光性高分子层其中一表面形成复数个曝光区以及未曝光区;于该感光性高分子层另一表面形成复数个曝光区以及未曝光区;以及除去该感光性高分子层两表面之未曝光区,以形成一双层立体结构。2.如申请专利范围第1项之制法,其中,该透明基板系为选自包括石英、玻璃、PET、以及PC所组成之群组之其中一者。3.如申请专利范围第1项之制法,其中,该感光染料系为受光照会变色之材料。4.如申请专利范围第1项之制法,其中,该感光染料系为N,N-二甲基苯胺(Crystal Violet Lactone, CVL)。5.如申请专利范围第1项之制法,其中,该混有感光染料之感光性高分子层系由选自包括涂布、贴附、旋涂、喷墨、以及网板印刷所组成之群组之其中一种方式进行者。6.如申请专利范围第1项之制法,其中,于该感光性高分子层其中一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤前复包括对该感光性高分子层进行软烤,以固化该感光性高分子层。7.如申请专利范围第1项之制法,其中,于该感光性高分子层其中一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤系使用第一光罩,于该感光性高分子层另一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤则系使用一第二光罩。8.如申请专利范围第7项之制法,其中,该第一光罩之图案与该第二光罩之图案为不同者。9.如申请专利范围第7项之制法,其中,当该第一光罩设于该透明基板正面时,该第二光罩系设于该透明基板背面。10.如申请专利范围第7项之制法,其中,当该第一光罩设于该透明基板背面时,该第二光罩系设于该透明基板正面。11.如申请专利范围第1项之制法,其中,于该感光性高分子层其中一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤以及于该感光性高分子层另一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤系使用同一光罩。12.如申请专利范围第1项之制法,其中,于该感光性高分子层其中一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤系形成具有第一深度之复数个曝光区,于该感光性高分子层另一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤则系形成具有第二深度之复数个曝光区。13.如申请专利范围第12项之制法,其中,该第一深度与该第二深度之加总等于该感光性高分子层之厚度。14.如申请专利范围第12项之制法,其中,该第一深度等于该第二深度。15.如申请专利范围第1项之制法,其中,于该感光性高分子层另一表面形成复数个曝光区以及未曝光区之步骤前系将该第一光罩转动一定角度。16.如申请专利范围第1项之制法,其中,于除去该感光性高分子层两表面之未曝光区之步骤系使用显影液洗除该等未曝光区。17.如申请专利范围第1项之制法,其中,该感光性高分子层两表面之未曝光区的除去处理系实质上同时进行者。18.一种三维光子晶体,具有如申请专利范围第1项之制法所制成之双层立体结构。图式简单说明:第1至第4图系显示本发明之较佳实施例之制程示意图;第5图系显示依第1至第4图之制法所得到的双层立体结构之立体示意图;第6A图系显示第2图之制程状态示意图;以及第6B图系显示第3图之制程状态示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号