| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,系具有在绝缘基板上配列含薄膜元件的复数个单位电路而成的薄膜电路之半导体装置的制造方法,其特征系包含:起点部形成过程;在上述绝缘基板上形成应成为半导体膜的结晶化时的起点的复数个起点部;半导体膜形成过程;在形成有上述起点部的上述绝缘基板上形成半导体膜;热处理过程;藉由热处理来使上述半导体膜结晶化;及电路形成过程;在进行上述热处理后的上述半导体膜上形成上述薄膜电路;又,上述复数个起点部系形成上述复数个单位电路的配列间隔的正整数倍之间隔。2.一种半导体装置的制造方法,系具有在绝缘基板上配列含薄膜元件的复数个单位电路而成的薄膜电路之半导体装置的制造方法,其特征系包含:起点部形成过程;在上述绝缘基板上形成应成为半导体膜的结晶化时的起点的复数个起点部;半导体膜形成过程;在形成有上述起点部的上述绝缘基板上形成半导体膜;热处理过程;藉由热处理来使上述半导体膜结晶化;及电路形成过程;在进行上述热处理后的上述半导体膜上形成上述薄膜电路;又,上述复数个起点部系形成上述各个单位电路中所含的各薄膜元件的配列间隔的正整数倍之间隔。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置的制造方法,其中上述起点部为形成于上述绝缘基板的凹部。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中上述热处理系以上述凹部内的上述半导体膜为形成非溶融状态,其他部份为溶融的条件来进行。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置的制造方法,其中上述热处理系藉由雷射照射来进行。6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置的制造方法,其中在上述半导体形成过程中所形成的上述半导体膜为非晶质或多晶质的矽膜。7.如申请专利范围第1或2项之半导体装置的制造方法,其中上述薄膜元件系包含薄膜电晶体。8.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中上述单位电路为光电装置的画素电路。9.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中上述单位电路为记忆装置的单位记忆电路。10.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中上述单位电路为现场可程式化闸阵列装置的单位逻辑电路。11.一种半导体装置,系具有在绝缘基板上配列含薄膜元件的复数个单位电路而成的薄膜电路之半导体装置,其特征为:上述绝缘基板系具有形成上述复数个单位电路的配列间隔的正整数倍之间隔的段差部;上述复数个单位电路系分别对形成于上述绝缘基板上的半导体膜进行热处理,而以上述段差部作为起点来使结晶化,利用约成为单结晶的半导体膜来予以形成。12.一种半导体装置,系具有在绝缘基板上配列含薄膜元件的复数个单位电路而成的薄膜电路之半导体装置,其特征为:上述绝缘基板系具有形成上述单位电路中所含的各薄膜元件的配列间隔的正整数倍之间隔的段差部;上述薄膜元件系对形成于上述绝缘基板上的半导体膜进行热处理,而以上述段差部作为起点来使结晶化,利用约成为单结晶的半导体膜来予以形成。13.如申请专利范围第11或12项之半导体装置,其中上述段差部为层叠于上述绝缘基板上的绝缘膜中所形成的凹部。14.如申请专利范围第11或12项之半导体装置,其中形成于上述绝缘基板上的上述半导体膜为非晶质或多晶质的矽膜。15.如申请专利范围第11或12项之半导体装置,其中上述薄膜元件系包含薄膜电晶体。16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中上述单位电路为光电装置的画素电路。17.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中上述单位电路为记忆装置的单位记忆电路。18.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中上述单位电路为现场可程式化闸阵列装置的单位逻辑电路。图式简单说明:图1是用以说明藉由本发明的制造方法来制造的半导体装置。图2(a),(b)是用以说明在玻璃基板上形成矽膜的过程。图3(a)~(c)是用以说明在玻璃基板上形成矽膜的过程。图4是表示在玻璃基板上所形成的矽膜的平面图。图5(a)~(d)是用以说明形成薄膜电晶体的过程。图6(a),(b)是用以说明以单元的配列间隔的2倍间隔来形成晶粒过滤器时的实施形态。图7(a),(b)是用以说明以薄膜电晶体的配置间隔的1倍间隔来形成晶粒过滤器时的实施形态。图8(a),(b)是用以说明以薄膜电晶体的配置间隔的2倍间隔来形成晶粒过滤器时的实施形态。图9是表示使用本发明的显示装置之个人电脑的构成立体图。图10是表示使用本发明的显示装置之行动电话的构成立体图。图11是表示使用本发明的显示装置之数位相机的构成立体图。图12是表示使用本发明的显示装置之电子书的构成立体图。 |
