| 主权项 |
1.一种基板之处理装置,系藉由加热为预定温度之处理液处理所搬送之基板之表面者,又,该基板之处理装置包含有:搬送机构,系以预定角度倾斜搬送前述基板,使前述表面构成倾斜方向上侧者;第1给液机构,系于藉由该搬送机构搬送之前述基板构成倾斜方向上侧之前述表面供给前述处理液者;及第2给液机构,系于藉由前述搬送机构搬送之前述基板构成倾斜方向下侧之里面上部供给前述处理液者。2.如申请专利范围第1项之基板之处理装置,其中于藉由前述搬送机构搬送之前述基板之里面侧设置有导引构件,且该导引构件系导引藉由前述第2给液机构供给至前述基板之里面上部之前述处理液,使其沿着前述基板之里面流动。3.如申请专利范围第2项之基板之处理装置,其中于前述导引构件上设置有可赋予沿着前述基板之里面流动之前述处理液阻力之阻力构件。4.如申请专利范围第1项之基板之处理装置,其中前述第1给液机构系沿着前述基板之上下方向以预定间隔配置之复数喷嘴体,且自各喷嘴体供给至前述基板之表面之前述处理液之供给量系藉由流量控制阀控制。5.如申请专利范围第1项之基板之处理装置,其中前述第1给液机构与前述第2给液机构系供给相同之处理液。6.一种基板之处理方法,系藉由加热为预定温度之处理液处理所搬送之基板之表面者,又,该基板之处理方法包含有:以预定角度倾斜搬送前述基板,使前述表面构成倾斜方向上侧之步骤;于所搬送之前述基板构成倾斜方向上侧之前述表面供给前述加热为预定温度之处理液之步骤;及于所搬送之前述基板构成倾斜方向下侧之里面上部供给前述加热为预定温度之处理液之步骤。7.如申请专利范围第6项之基板之处理方法,更包含有导引供给至前述基板之里面上部之前述处理液,使其沿着该基板之里面流动之步骤。8.如申请专利范围第7项之基板之处理方法,更包含有藉由阻力构件使沿着前述基板之里面流动之前述处理液降低流动速度来流动之步骤。9.如申请专利范围第7项之基板之处理方法,系使前述基板之表面与里面流动相同之处理液。图式简单说明:第1图系显示本发明之第1实施形态,且为藉由搬送机构于导引构件之前面侧搬送之基板之正视图。第2图系藉由搬送机构搬送之基板及设置于基板之里面侧之导引构件之纵截面图。第3图系导引构件之立体图。第4图系显示本发明第2实施形态之导引构件之立体图。第5图系显示本发明第3实施形态之构造图。 |
