| 主权项 |
1.一种用以制造凹槽闸极结构之方法,包含下列步骤:选择性蚀刻基板以形成许多开口;在开口和基板上形成闸极氧化物层;在闸极氧化物层上形成第一导电矽层,以在形成期望模型之后可以形成许多高度等于或大于剩余厚度之凹谷;平坦化第一导电矽层,直到得到期望模型形成后之剩余厚度,使得凹谷可被移除;在平坦化后的第一导电矽层上形成第二导电层;及选择性蚀刻第二导电层、第一导电矽层和闸极氧化物层,以形成许多凹槽闸极结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一导电矽层形成的厚度约为许多开口深度的1.5倍到3倍厚。3.如申请专利范围第2项之方法,其中许多开口的深度范围约为1000到2000。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成第一导电矽层之步骤,第一导电矽层系藉由形成杂质掺杂的矽层而得到导电性。5.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成第一导电矽层之步骤中,第一导电矽层系藉由先形成一矽层随后再掺杂杂质至该矽层,而使该第一导电矽层得到导电性。6.如申请专利范围第1项之方法,其中第一导电矽层系多晶矽层或非晶矽层其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中第二导电层系由选择自由钨、矽化钨、氮化钨和氮化钛所组成之群组的材料制成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中平坦化第一导电矽层之步骤系藉由采用化学机械研磨法和回蚀刻制程其中之一执行。9.如申请专利范围第1项之方法,其中形成第一导电矽层之步骤,系藉由采用低压化学气相沉积法执行。10.如申请专利范围第2项之方法,其中形成第一导电矽层之步骤,系藉由采用低压化学气相沉积法执行。11.如申请专利范围第4项之方法,其中形成导电矽层之步骤系使用低压化学气相沉积法。12.如申请专利范围第5项之方法,其中形成导电矽层之步骤系使用低压化学气相沉积法。13.如申请专利范围第6项之方法,其中形成导电矽层之步骤系使用低压化学气相沉积法。图式简单说明:第1A图到第1D图为用以形成凹槽闸极结构之传统制程的横截面图;及第2A图到第2E图为根据本发明形成凹槽闸极结构之制程的横截面图。 |
