发明名称 资讯记录碟片之金属原盘的制造方法及金属原盘
摘要 本发明提供一种金属原盘(meta master)及其制造方法,系形状精度优于以往。该金属原盘之制造方法系将构成金属原盘10的导电膜12之厚度t设为(35至200nm的范围内)约50nm。
申请公布号 TWI264719 申请公布日期 2006.10.21
申请号 TW093104613 申请日期 2004.02.24
申请人 TDK股份有限公司 发明人 川口裕一
分类号 G11B7/26 主分类号 G11B7/26
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种金属原盘的制造方法,其特征在于,系藉由以无电解电镀法在具有用以形成资讯记录碟片的资讯记录区域之微细凹凸部的玻璃原盘形成导电膜,在该导电膜以电解电镀工法形成电解电镀层,使上述导电膜以及电解电镀层从上述玻璃原盘剥离,以获得金属原盘者,形成上述导电膜35至200nm的厚度。2.如申请专利范围第1项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜40nm以上的厚度。3.如申请专利范围第1项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜45nm以上的厚度。4.如申请专利范围第1项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜50nm以上的厚度。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜150nm以下的厚度。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜120nm以下的厚度。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜90nm以下的厚度。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜60nm以下的厚度。9.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属原盘的制造方法,其中,形成上述导电膜55nm以下的厚度。10.一种金属原盘的制造方法,其特征在于,系藉由以无电解电镀法在具有用以形成资讯记录碟片的资讯记录区域之微细凹凸部的玻璃原盘形成导电膜,在该导电膜以电解电镀工法形成电解电镀层,使上述导电膜以及电解电镀层从上述玻璃原盘剥离,以获得金属原盘者,形成使上述导电膜之厚度厚于上述玻璃原盘的微细凹凸部之段差。11.一种金属原盘,其特征在于具有以下构件:转印用以形成资讯记录碟片的资讯记录区域之微细凹凸的导电膜;以及形成于该导电膜之电解电镀层者,上述导电膜系以35至200nm的厚度形成。12.如申请专利范围第11项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为40nm以上。13.如申请专利范围第11项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为45nm以上。14.如申请专利范围第11项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为50nm以上。15.如申请专利范围第11至14项中任一项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为150nm以下。16.如申请专利范围第11至14项中任一项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为120nm以下。17.如申请专利范围第11至14项中任一项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为90nm以下。18.如申请专利范围第11至14项中任一项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为60nm以下。19.如申请专利范围第11至14项中任一项之金属原盘,其中,上述导电膜的厚度为55nm以下。20.一种金属原盘,其特征在于具有以下构件:转印用以形成资讯记录碟片的资讯记录区域之微细凹凸的导电膜以及形成于该导电膜之电解电镀层者,上述导电膜系形成厚度厚于上述微细凹凸部的段差。图式简单说明:第1图系模式表示有关本实施形态之金属原盘的构造之侧剖面图。第2图系显示该金属原盘之制造方法的概要之流程。第3图系显示该金属原盘之导电膜的形成步骤之详细流程图。第4图系模式表示该金属原盘的制造所使用的玻璃原盘之形成步骤的侧剖面图。第5图系模式显示该金属原盘之导电膜的形成步骤之侧剖面图。第6图系显示该金属原盘之电解电镀层的形成步骤之侧剖面图。第7图系表示电解电镀时间与电解电镀层的厚度之关系图表。
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