| 主权项 |
1.一种晶片结构,包括:一晶体,具有一主动表面;至少一焊垫,配置于该主动表面;一保护层,覆盖该主动表面,该保护层具有一开口,其暴露该焊垫之上表面;一金属层,形成于该开口内之该焊垫上;一凸块下金属层,设置于该金属层上,且未覆盖至该保护层上;以及一导电凸块,形成于该凸块下金属层上。2.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该金属层包括一第一金属层以及一第二金属层,该第一金属层位于该焊垫上,而该第二金属层为一环形结构,其位于该第一金属层之部分表面上。3.如申请专利范围第2项所述之晶片结构,其中该第一金属层与该焊垫之材质相同。4.如申请专利范围第2项所述之晶片结构,其中该第一金属层与该第二金属层之材质包括铝或钛。5.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该凸块下金属层之材质选自于镍、铜、钛及其合金。6.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该导电凸块之材质包括锡或金。7.一种晶片制程,包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有一保护层以及至少一焊垫,而该焊垫之上表面暴露于该保护层之一第一开口中;形成一第一金属层于该第一开口暴露之该焊垫的上表面;形成一光阻于该第一金属层上,该光阻具有一第二开口以及位于该第二开口中之一光阻块,其中该第一金属层对应于该第二开口具有一第一表面,而该第一金属层对应于该光阻块具有一第二表面;形成一第二金属层于该第一表面;移除该光阻块,以暴露该第二表面;形成一凸块下金属层于该第二金属层之表面与该第一金属层之该第二表面;以及形成一导电凸块于该凸块下金属层上。8.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中该第一金属层以溅镀、蒸镀制程形成。9.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中该第一金属层之材质包括铝或钛。10.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中该第二金属层以电镀制程形成。11.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中该第二金属层之材质包括铝或钛。12.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中形成该导电凸块之方式包括印刷或电镀。13.如申请专利范围第7项所述之晶片制程,其中形成该导电凸块之后,更包括移除该光阻。14.一种晶片结构,包括:一晶体,具有一主动表面;至少一焊垫,配置于该主动表面;一保护层,覆盖该主动表面,该保护层具有一开口,其暴露该焊垫之上表面;一环形金属层,形成于该开口内之该焊垫的部分表面上;一凸块下金属层,设置于该环形金属层上,且未覆盖至该保护层上;以及一导电凸块,形成于该凸块下金属层上。15.如申请专利范围第14项所述之晶片结构,其中该环形金属层之材质包括铝或钛。16.如申请专利范围第14项所述之晶片结构,其中该凸块下金属层之材质选自于镍、铜、钛及其合金。17.如申请专利范围第14项所述之晶片结构,其中该导电凸块之材质包括锡或金。图式简单说明:图1是习知之一种晶片结构的剖面示意图。图2A至图2G是本发明一实施例之晶片制程的流程图。图3是本发明另一实施例之晶片结构的示意图。 |
