| 主权项 |
1.一种电子元件之制程设计方法,其特征包括:利用在第1制造生产线所量产之第1电子装置之第1量产制程之第1特征以及上述第1电子装置之第1电特性,校正技术开发电脑支援设计系统设计之制程与电特性模拟之模拟参数;取得第2制造生产线所试制之第2电子装置之试制制程之第2特征量与上述第2电子装置之第2电特性;由已校正之上述技术开发电脑支援设计系统,将上述第2特征量代入上述试制制程相对应之上述制造模拟之制程以进行模拟并取得上述第2电子装置之模拟电特性;比较上述第2电特性与上述模拟电特性;以及依据上述第2电特性与上述模拟电特性之差,制作上述第2制造生产线之第2量产制程之设计规范。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述试制制程系以与上述第1量产制程所制造之上述第1电子装置相同之制程条件进行。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述若第2电特性与上述模拟电特性之差在容许误差之范围内时,则将表现被量产之上述第1电子装置之电特性之模型参数做为上述第2量产制程之设计规范。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述另包括:若上述第2电特性与上述模拟电特性之差超过上述容许范围时,即进行上述试制工程之检验;以及若在上述试制制程检测出异常制造条件时,即修正上述异常制造条件。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述另包括:若经上述试制制程之检验,制程为正常时,即进行第1量产制程之检验,并进行上述技术开发电脑支援设计系统之可再校正。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述另包括:若上述试制制程之一部分包含与上述第1量产制程不同之变更工程时,则仅将上述变更工程之制程条件之变更特征量代入与上述技术开发电脑支援设计系统之上述变更工程相对应之模拟工程,以取得上述第2电子装置之变更模拟电特性;以及比较上述第2电特性与上述变更模拟电特性。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述若上述第2电特性与上述变更模拟电特性之差系在容许误差之范围内时,则由上述变更模拟电特性撷出用于表现上述第2电子装置之电特性之模型参数,并将该模型参数做为上述第2量产制程工程之设计规范。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述另包括:若上述第2电特性与上述变更模拟电特性之差超过容许误差之范围时,即进行上述试制制程之检验;以及若在上述试制制程检测出异常制造条件时,则进行上述异常制造条件之修正。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述另包括:若经上述试制制程之检验,制程为正常时,即进行上述第1量产制程工程之检验,并进行上述技术开发电脑支援设计系统之再校正。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第1与第2制造生产线分别配置于透过连接之工厂。11.一种利用经由网路与工厂连接之技术开发电脑设计系统制造电子元件之制程设计方法,其特征包括:透过上述网路由上述工厂藉由上述技术开发电脑支援设计系统取得第1电子装置之量产制造生产线之第1量产制程之第1特征量与上述第1电子装置之第1电特性,以及第2电子装置之试制生产线之试制制程之第2特征量与上述第2电子装置之第2电特性;利用上述第1特征量及上述第1电特性校正上述技术开发电脑支援设计系统所设计之制程模拟与电特性模拟各自之模拟参数;利用已校正之上述技术开发电脑支援设计系统,将上述第2特征量代入上述试制制程相对应之上述制程模拟以进行上述制程模拟,以取得第2电子装置之模拟电特性;比较上述第2电特性与上述模拟电特性;以及根据上述第2电特性与上述模拟电特性之差,由上述技术开发电脑支援设计系统制作上述第2电子装置之第2量产制程之设计规范,并透过上述网路提供给上述工厂。12.如申请专利范围第11项之方法,其中另包括:若上述第2电特性与上述模拟电特性之差系在容许范围内时,即利用上述技术开发电脑支援设计系统,撷出利用上述模拟电特性表现上述第2电特性之模型参数。13.如申请专利范围第11项之方法,其中若上述第2电特性与上述模拟电特性之差超过上述容许误差时,即利用上述技术开发电脑支援系统进行上述试制制程之检验。14.一种电子元件之制程设计支援系统,其特征具备:输入部,用于取得第1电子装置之量产制造生产线之第1量产制程之第1特征量与上述第1电子装置之第1电特性,以及第2电子装置之试制生产线之试制制程之第2特征量与上述第2电子装置之第2电特性;模拟模组,利用上述第1特征量与上述第1电特性校正制程模拟与电特性模拟之模拟参数,并将上述第2特征量代入与上述试制制程相对应之上述制程模拟以进行上述制程模拟,并取得上述第2电子装置之模拟电特性;规格制作模组,根据上述第2电特性与上述模拟电特性,由上述技术开发电脑支援设计系统制作上述第2电子装置之第2量产制程之设计规格;以及输出部,将上述设计规格传送至上述制造生产线。15.如申请专利范围第14项之设计支援系统,其中上述技术开发电脑支援设计系统与配置有上述量产制造生产线与上述试制生产线之工厂系由网路连接。图式简单说明:图1为本发明之第1实施例之TCAD系统之概略构造图。图2为表示用于说明本发明之第1实施例之制程之特征量之次数分布例之图。图3为表示用于说明本发明之第1实施例之电子装置之特性之特征量之次数分布例之图。图4为用于说明本发明之第1实施例之制程之设计方法之工厂概略构成图。图5为表示本发明之第1实施例之第1应用例之制程之一例的剖面图。图6为表示本发明之第1实施例之第1应用例之氧化膜厚度之次数分布之一例之图。图7为表示本发明之第1实施例之第1应用例之闸长之次数分布之一例之图。图8为表示本发明之第1实施例之第1应用例之间物厚度之次数分布之一例之图。图9为表示本发明之第1实施例之第1应用例之定限电压之次数分布之一例之图。图10为表示本发明之第1实施例之第1应用例之闸构造之特征量之平均与误差表。图11为表示本发明之第1实施例之第2应用例之制程设计方法之流程。图12为具有用于实现本发明之第1实施例之制程设计之制造生产线之工厂配置例之方块图。图13为具有用于实现本发明之第2实施例之制程设计之制造生产线之工厂配置例之方块图。图14为用于说明本发明之第2实施例之制程设计方法之流程图。 |
