| 主权项 |
1.一种用于具有盖板的电浆处理室之气体分配板组件,其至少包含:一扩散板,具有一上游侧、一面向处理区的下游侧、及多数气体通道,形成穿过该扩散板;及一档板,放置于该处理室的盖板与扩散板之间,具有由档板的上表面延伸至下表面的多数孔,其中该多数孔具有至少两种尺寸。2.如申请专利范围第1项所述之气体分配板组件,其中上述之档板的厚度系于约0.02寸至约0.2寸之间。3.如申请专利范围第1项所述之气体分配板组件,其中上述之档板与扩散板间之距离系低于约0.6寸。4.如申请专利范围第1项所述之气体分配板组件,其中上述之档板的多数孔为圆柱形。5.如申请专利范围第4项所述之气体分配板组件,其中上述之档板的多数圆柱孔的最小直径系低于约0.05寸,以及,最小直径孔的总剖面积大于1寸2。6.如申请专利范围第5项所述之气体分配板组件,其中上述之最小直径孔的总剖面积大于1寸2。7.如申请专利范围第6项所述之气体分配板组件,其中上述之具有最小直径的多数圆柱孔系由阻断板的中心对称分布至阻断板的边缘。8.如申请专利范围第4项所述之气体分配板组件,其中上述之档板具有多数圆柱孔,其直径系在约1/16寸至约1/4寸之间,以及,这些孔的直径大于多数圆柱孔的最小直径。9.如申请专利范围第8项所述之气体分配板组件,其中上述之具有直径大于多数圆柱孔的最小直径的多数圆柱孔的数目为至少4。10.如申请专利范围第8项所述之气体分配板组件,其中上述之具有直径大于多数圆柱孔的最小直径的多数圆柱孔系被对称分布于整个档板上。11.如申请专利范围第1项所述之气体分配板组件,其中上述之电浆处理室为电浆加强化学气相沈积室。12.如申请专利范围第1项所述之气体分配板组件,其中上述之扩散板与档板两者具有大于370mm370mm的表面积。13.一种具有盖板的电浆沈积处理室,至少包含:一扩散板,具有上游侧、面向处理区的下游侧、及多数气体通道形成穿过该扩散板;及一挡板,放置在处理室的盖板与扩散板之间,具有多数圆柱孔由档板的上表面延伸至下表面,其中该多数圆柱孔具有至少两种尺寸,并由档板的中心对称分布至档板的边缘。14.如申请专利范围第13项所述之电浆沈积处理室,其中上述之档板与扩散板间之空间系低于约0.6寸。15.如申请专利范围第13项所述之电浆沈积处理室,其中上述之档板的多数圆柱孔的最小直径系低于约0.05寸。16.如申请专利范围第15项所述之电浆沈积处理室,其中上述之最小直径孔的剖面积系大于1寸2。17.如申请专利范围第16项所述之电浆沈积处理室,其中上述之具有直径大于多数圆柱孔的最小直径之多数圆柱孔系对称分布在整个阻断板上。18.如申请专利范围第13项所述之电浆沈积处理室,其中上述之扩散板与档板两者具有大于370mm370mm的表面积。图式简单说明:第1图为底闸薄膜电晶体的剖面示意图;第2A图为具有气体扩散板的例示处理室的剖面示意图;第2B图为第2A图之气体扩散板的剖面示意图;第3A图为具有例示气体扩散板及例示挡板的处理室的剖面示意图;第3B图为放置于顶板与例示扩散板间之例示档板的剖面示意图;第4图为沈积一薄膜在具有扩散板的处理室中之基板上的流程图;第5A图为在920mm730mm基板上之原矽酸四乙酯(TEOS)氧化物沈积速率量测値,其系由没有档板的气体分配组件之沈积法所取得;第5B图为在920mm730mm基板上之TEOS氧化物沈积速率量测値,其系由利用具有小针孔的档板之气体分配板之沈积法所取得;第5C图显示具有对称分布之小针孔的档板的俯视图;第5D图显示在920mm730mm基板上之TEOS氧化物沈积速率量测値,其系由利用具有小针孔及大孔之档板之气体分配组件之沈积法取得;第5E图显示具有对称分布之大孔的档板的俯视图;第6A图显示由不具档板的气体分配组件之沈积法所取得之920mm730mm基板上之SiN沈积速率量测値;及第6B图显示由利用具有小针孔及大孔的档板之气体分配组件所取得之920mm730mm基板之SiN沈积速率量测値。 |
