发明名称 形成一多重引线框半导体装置之结构及方法
摘要 本发明揭示一种半导体装置(20),其具有一第一引线框(200),有一第一半导体晶粒(70)电耦合至其引线其中之一。一第二半导体晶粒(130)固定至一第二引线框(300),该引线框具有一第一引线(35、150)电耦合至该第二半导体晶粒以及一第二引线(30、35)固定至该第一引线框的该引线。
申请公布号 TWI264810 申请公布日期 2006.10.21
申请号 TW092109716 申请日期 2003.04.25
申请人 半导体组件工业公司 发明人 詹姆适 哈渥德 奈普;史帝芬 ST 葛曼
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种半导体装置,其包括:一第一引线框;一第一半导体晶粒电耦合至该第一引线框的一引线;一第二半导体晶粒;以及一第二引线框,具有一第一引线,用于电耦合到该第二半导体晶粒,以及一第二引线,用于固定到该第一引线框的该引线。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括一第一密封材料覆盖该第一引线框。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,进一步包括一第二密封材料覆盖该等第一和第二引线框。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,进一步包括一第一焊接线,以一第一材料形成,用于电耦合该第一半导体晶粒至该第一引线框的该引线。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,进一步包括一第二焊接线,以一第二材料形成,用于电耦合该第二半导体晶粒至该第二引线框的该第一引线。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该第一材料包括金。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中该第二材料包括铝。8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该第一拉线焊接材料形成为小于0.002英寸的直径。9.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中该第二拉线焊接材料形成为大于0.014英寸的直径。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第一引线框包括一镍银合金涂料,用于黏附该金线焊接。11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第二引线框包括一铜或铝,用于黏附该铝线焊接。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第一引线框具有一厚度小于该第二引线框。13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中一材料的厚度从该第二引线框的一部份移除,用以形成一引线锁。14.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中一材料的厚度从一第四引线移除,以形成一互连线。15.一种半导体装置,其包括:一第一引线框;一第一半导体晶粒电耦合至该第一引线框的一接针;以及一第二引线框,用于固定到该第一引线框。16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中该第一引线框接针具有一间距小于该第二引线框接针的间距。17.一种用于容纳多重半导体晶粒的包装,包括:一具有一区域的第一引线框,用于固定一第一半导体晶粒;以及一具有一旗标的第二引线框,用于固定一第二半导体晶粒,其中该第二引线框固定到该第一引线框的一引线。18.一种半导体包装,包括具有一第一区域的一第一引线框用于固定一半导体晶粒,以及一第二区域,用于固定一第二引线框。19.一种形成一半导体组件之方法,包括:将一第一半导体晶粒固定到一第一引线框;将一第二半导体晶粒固定到一第二引线框;以及将该第一引线框固定到该第二引线框。20.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括将一第一密封材料置于该等第一和第二引线框之上的步骤。21.如申请专利范围第20项之方法,进一步包括将一第二密封材料置于该第一引线框之上的步骤。22.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括将一第一密封材料置于该等第一和第二半导体晶粒之上的步骤。23.如申请专利范围第22项之方法,进一步包括将一第二密封材料置于该第一半导体晶粒之上的步骤。24.如申请专利范围第19项之方法,其中将该第一半导体晶粒固定至该第一引线框的步骤进一步包括:以一镍银合金涂布该第一引线框的一部份;以及将一金线焊接从该第一半导体晶粒黏附至涂布有该镍银合金的该第一引线框的部份。25.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括将该第一引线框的一引线电耦合至该第二引线框的一引线。26.如申请专利范围第19项之方法,其中将该第二半导体晶粒固定至该第二引线框的步骤进一步包括电耦合该第二半导体晶粒至该第二引线框。27.如申请专利范围第19项之方法,其中该第一引线框形成具有一第一厚度,以及该第二引线框形成具有一第二厚度。28.如申请专利范围第27项之方法,其中该第一引线框厚度小于该第二引线框厚度。29.如申请专利范围第28项之方法,进一步包括将材料从该第二引线框的一引线移除,以形成一引线锁的步骤。30.一种形成一半导体组件之方法,包括:将一第一半导体晶粒固定到一第一引线框;将一封装半导体晶粒固定到该第一引线框;以及在将该封装半导体晶粒固定到该第一引线框之后,密封该第一引线框。31.一种半导体组件,包括:一具有一第一厚度的第一引线框;一第一半导体晶粒电耦合至该第一引线框;一第二半导体晶粒;以及一具有一第二厚度的第二引线框,电耦合至该第二半导体晶粒和该第一引线框。32.如申请专利范围第31项之半导体组件,其中该第一引线框厚度小于该第二引线框厚度。33.一种半导体组件,包括:一第一引线框;一第一半导体晶粒电耦合至该第一引线框的一引线;一第二引线框;一第二半导体晶粒电耦合至该第二引线框的一引线;以及一具有一第一引线的第三引线框,用于固定到该第一引线框,以及一第二引线,用于电耦合到该第二引线框。34.如申请专利范围第33项之半导体组件,进一步包括一第一密封材料覆盖该第一引线框。35.如申请专利范围第34项之半导体组件,进一步包括一第二密封材料覆盖该第二引线框。36.如申请专利范围第35项之半导体组件,进一步包括一第三密封材料覆盖该等第一、第二和第三引线框。37.一种半导体包装,包括一第一引线框,具有一第一区域用于固定一第二引线框,以及一第二区域,用于固定一第三引线框。38.一种积体电路,包括:一第一引线框;一半导体装置,用于固定在该第一引线框上;一半导体组件;以及一第二引线框,具有一第一区域,用于固定该半导体组件,以及一第二区域,用于固定该第一引线框。图式简单说明:图1是先前技术多晶片模组的横断面图;图2是半导体装置的横断面图;图3是套用至一电压调整器的半导体装置的具体实施例之示意图;图4是图2半导体装置的俯视图;图5是图2半导体装置的第二俯视图;以及图6是半导体装置另一具体实施例的横断面图。
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