| 主权项 |
1.一种晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,包含:提供一散热片;设置复数个晶片于该散热片上,每一晶片系具有一主动面以及形成在该主动面之复数个焊垫;在设置该些晶片之后,设置一内部电传导元件于该些晶片之主动面上;电性连接该些晶片之该些焊垫至该内部电传导元件;设置复数个外终端于该内部电传导元件上;形成一封胶体于该散热片上,并使该封胶体覆盖该些晶片之显露主动面;及切割该散热片,以形成复数个晶穴朝下型晶片封装构造。2.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些焊垫系排列于对应晶片之主动面之一中央位置。3.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该内部电传导元件系为一无外导脚之LOC导线架,其系具有复数个可供贴设于该些晶片之主动面上之引脚。4.如申请专利范围第1或3项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该内部电传导元件系具有复数个支撑柱,以供结合至该散热片。5.如申请专利范围第4项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些外终端系对准于该些支撑柱。6.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该内部电传导元件系为一具有槽孔之电路基板,当该电路基板设置于该些晶片之主动面上时,该些槽孔系显露出该些晶片之焊垫。7.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该散热片系为一背胶铜箔(Resin Coated Copper foil, RCC)。8.如申请专利范围第7项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该背胶铜箔之一树脂层系黏接该些晶片之背面。9.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些晶片系为记忆体晶片。10.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些外终端系为金属球或凸块。11.如申请专利范围第1或10项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些晶片之该些焊垫系藉由复数个焊线电性连接至该内部电传导元件。12.如申请专利范围第11项所述之晶穴朝下型晶片封装构造之制造方法,其中该些外终端之设置高度系高于该些焊线之弧高。13.一种晶穴朝下型晶片封装构造,包含:一散热片;一晶片,其系设置于该散热片上,该晶片系具有一主动面以及形成在该主动面之复数个焊垫;一内部电传导元件,其系设置于该晶片之该主动面上并电性连接至该晶片之该些焊垫;复数个外终端,其系设置于该内部电传导元件上;及一封胶体,其系形成于该散热片上并覆盖该晶片之显露主动面。14.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该些焊垫系排列于该主动面之一中央位置。15.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该内部电传导元件系为一无外导脚之LOC导线架,其系具有复数个可供贴设于该晶片之主动面上之引脚。16.如申请专利范围第13或15项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该内部电传导元件系具有复数个支撑柱,以供结合至该散热片。17.如申请专利范围第16项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该些外终端系对准于该些支撑柱。18.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该内部电传导元件系为一具有槽孔之电路基板,当该电路基板设置于该晶片之主动面上时,该槽孔系显露出该晶片之焊垫。19.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该散热片系为一背胶铜箔(ResinCoated Copper foil, RCC)。20.如申请专利范围第19项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该背胶铜箔之一树脂层系能黏接该晶片之一背面。21.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该晶片系为记忆体晶片。22.如申请专利范围第13项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该些外终端系为金属球或凸块。23.如申请专利范围第13或22项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该晶片之该些焊垫系藉由复数个焊线电性连接至该内部电传导元件。24.如申请专利范围第23项所述之晶穴朝下型晶片封装构造,其中该些外终端之设置高度系高于该些焊线之弧高。图式简单说明:第1A至1E图:习知一个晶穴朝下型晶片封装构造在制造过程中之截面示意图。第2A至2F图:依据本发明之一具体实施例,复数个晶穴朝下型晶片封装构造在可量产制造过程中之截面示意图。第3图:依据本发明之一具体实施例,所制得之晶穴朝下型晶片封装构造之截面示意图。 |
