发明名称 破除真空环境之管路系统
摘要 本发明系为一种破除真空环境之管路系统,特别是有关于一种应用在反应室内之破除真空环境的管路系统,以提高薄膜电晶体(Thin-Film Transistor;TFT)所采用之玻璃基板的良率(yield)。本发明为在破真空管路系统之各出气口管路上加装一流量控制阀(Flow Control Valve; F.C.V.),以控制各出气口在破真空的过程中,同时喷出一高压之气体。
申请公布号 TWI264510 申请公布日期 2006.10.21
申请号 TW092121909 申请日期 2003.08.08
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 彭剑英
分类号 F17D1/075 主分类号 F17D1/075
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区南京东路2段111号8楼之3;谢德铭 台北市中山区南京东路2段111号8楼之3
主权项 1.一种破除真空状态的管路系统,包含:一平台,该平台上包含一出气孔;一高压气体供应端,该高压气体供应端用以提供一气体;一电磁阀,该电磁阀藉由一第一管路系统与该出气孔相连接且藉由一第二管路系统与该高压气体供应端连接;及一流量控制阀,该流量控制阀安装于该第一管路系统上,用以控制该气体由该出气孔喷出时之一压力与一流量。2.如申请专利范围第1项所述之破除真空状态的管路系统,其中上述之流量控制阀为一手动调整之流量控制阀。3.如申请专利范围第1项所述之破除真空状态的管路系统,其中上述之流量控制阀为一自动控制之流量控制阀。4.如申请专利范围第3项所述之破除真空状态的管路系统,其中上述之自动控制之流量控制阀藉由一讯号线路系统连接至一控制电路上。5.一种破除曝光平台与玻璃基板间之真空状态的管路系统,包含:一曝光平台,该曝光平台上放置一玻璃基板,其中该曝光平台上包含多数个破真空区域且任一该多数个破真空区域包含多数个出气孔用以喷出一气体,用以破除该曝光平台与该玻璃基板间之一真空状态;一高压气体供应端,该高压气体供应端用以提供该气体;多数个电磁阀,其中任一该多数个电磁阀均藉由一第一管路系统连接至相对应之该破真空区域上之该多数个出气孔且藉由一第二管路系统与该高压气体供应端连接;多数个自动控制之流量控制阀,其中任一该多数个自动控制之流量控制阀均安装在该第一管路系统上且位于相对应之该出气孔与该电磁阀之间,用以控制该气体由该出气孔喷出时之一压力与一流量;及一控制电路,该控制电路包含一警示装置并藉由一讯号线路系统连接至该多数个自动控制之流量控制阀上,以调整该气体由该出气孔喷出时之该压力与该流量。6.如申请专利范围第5项所述之破除曝光平台与玻璃基板间之真空状态的管路系统,其中上述之气体为一空气。7.一种破除反应室内之真空状态的管路系统,包含:一反应室,该反应室内包含一出气孔;一高压气体供应端,该高压气体供应端用以提供一气体;一电磁阀,该电磁阀藉由一第一管路系统与该出气孔相连接且藉由一第二管路系统与该高压气体供应端连接;及一流量控制阀,该流量控制阀安装于该第一管路系统上,用以控制该气体由该出气孔喷出时之一压力与一流量。8.如申请专利范围第7项所述之破除反应室内之真空状态的管路系统,其中上述之流量控制阀为一手动调整之流量控制阀。9.如申请专利范围第7项所述之破除反应室内之真空状态的管路系统,其中上述之流量控制阀为一自动控制之流量控制阀。10.如申请专利范围第9项所述之破除反应室内之真空状态的管路系统,其中上述之反应室内之自动控制之流量控制阀藉由一讯号线路系统连接至一控制电路上。11.一种破除反应室内之真空状态的管路系统,包含:一反应室,该反应室内包含多数个破真空区域且任一该多数个破真空区域包含多数个出气孔用以喷出一气体,用以破除该反应室内之一真空状态;一高压气体供应端,该高压气体供应端用以提供该气体;多数个电磁阀,其中任一该多数个电磁阀均藉由一第一管路系统连接至相对应之该破真空区域上之该多数个出气孔且藉由一第二管路系统与该高压气体供应端连接;多数个自动控制之流量控制阀,其中任一该多数个自动控制之流量控制阀均安装在该第一管路系统上且位于相对应之该出气孔与该电磁阀之间,用以控制该气体由该出气孔喷出时之一压力与一流量;及一控制电路,该控制电路包含一警示装置并藉由一讯号线路系统连接至该多数个自动控制之流量控制阀上,以调整该气体由该出气孔喷出时之该压力与该流量。12.如申请专利范围第11项所述之破除反应室内之真空状态的管路系统,其中上述之气体为一空气。图式简单说明:第一图为传统破除反应室内之真空状态的管路系统之示意图;第二图为在曝光平台上所划分之破真空区域及出气孔的示意图;第三图为本发明之破真空管路系统的示意图;及第四图为在本发明的破真空管路系统上使用自动调整之流量控制阀之示意图。
地址 台北市中山区中山北路3段22号
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