| 主权项 |
1.一种覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,系在基板上将由氮化镓系化合物半导体所构成的n型半导体层、发光层以及p型半导体层依此顺序而设置,且负极及正极系分别设在n型半导体层及p型半导体层者,其特征为:该正极具有接于该p型半导体层之欧姆电极层,该欧姆电极层上之由厚度为10以上之钛所构成的接合层,以及由选自由金、铝、镍及铜所构成的族群中之金属或含有该等金属中之至少一种的合金所构成的3层结构。2.如申请专利范围第1项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中接合层之厚度为500以上、3,000以下。3.如申请专利范围第2项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中接合层之厚度为1,000以上。4.如申请专利范围第1项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中欧姆电极层之厚度为100以上、3,000以下。5.如申请专利范围第4项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中欧姆电极层之厚度为500以上、2,000以下。6.如申请专利范围第1项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中接合垫层之厚度为1,000以上。7.如申请专利范围第6项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中接合垫层之厚度为3,000以上、5,000以下。8.如申请专利范围第1项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,其中接合层垫为金。9.一种覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件用正极,其特征为具有接于p型半导体层之由铑所构成的欧姆电极层、该欧姆电极层上之厚度为10以上之钛所构成的接合层、以及该接合层上的由选自由金、铝、镍及铜所构成的族群中之金属或含有该等金属中之至少一种的合金所构成的3层结构。10.如申请专利范围第9项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件用正极,其中接合层之厚度为500以上、3,000以下。11.如申请专利范围第9项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件用正极,其中接合层之厚度为1,000以上。12.一种发光二极体,系使用如申请专利范围第1至8项中任一项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件所构成。13.一种灯,系使用如申请专利范围第1至8项中任一项之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件所构成。图式简单说明:第1图系展示以往之覆晶型化合物半导体发光元件之一般性结构示意图。第2图系展示本发明之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件之一实例示意图。 |
