| 主权项 |
1.一种奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,包括下列步骤:提供一基材;配制一溶胶前驱液,该溶胶前驱液中包含一有机模板;将该溶胶前驱液涂布于该基材上;将该溶胶前驱液乾燥生成一薄膜;以及去除该薄膜内之有机模板以形成一奈米孔洞型抗反射膜。2.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该基材为玻璃基材或透明塑胶基材。3.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该溶胶前驱液包含金属盐类或金属/非金属之烷氧化物溶液。4.如申请专利范围第3项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该金属烷氧化物为Ti、Zr、Al之烷氧化物。5.如申请专利范围第3项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该非金属烷氧化物为Si之烷氧化物。6.如申请专利范围第3项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该溶胶前驱液更包含水、溶剂、及酸。7.如申请专利范围第6项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该溶剂为醇类。8.如申请专利范围第6项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该酸为有机酸或无机酸。9.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板为离子型界面活性剂。10.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板为非离子型界面活性剂。11.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板为块状共聚高分子(block copolymer)。12.如申请专利范围第11项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板为三块状共聚高分子。13.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中在去除有机模板之后更包括一亲油性修饰处理。14.如申请专利范围第13项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该亲油性修饰处理系以六甲基二矽氮烷(HMDS;hexamethydislazane)蒸气进行表面处理。15.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该涂布方式为旋转涂布或浸渍涂布。16.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板的移除方式系择自下列至少其一:加热处理、UV-O3处理。17.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中在将该溶胶前驱液涂布之前,更包括一时效(aging)处理。18.如申请专利范围第1项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该时效(aging)处理系在室温持续至少3小时。19.一种奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,包括下列步骤:提供一基材;配制一溶胶前驱液,该溶胶前驱液中包含一有机模板;将该溶胶前驱液涂布于该基材上;将该溶胶前驱液乾燥生成一薄膜;以及以UV-O3去除该薄膜内之有机模板以形成一奈米孔洞型抗反射膜。20.如申请专利范围第19项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该涂布方式为浸渍涂布。21.如申请专利范围第19项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中该有机模板为块状共聚高分子(block copolymer)。22.如申请专利范围第19项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中在该浸渍涂布中,该基板之上拉速率不大于10公分/分钟。23.如申请专利范围第19项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中在去除有机模板之后更包括一亲油性修饰处理。24.如申请专利范围第19项所述之奈米孔洞型抗反射膜的制备方法,其中在将该溶胶前驱液涂布之前,更包括一时效(aging)处理。25.一种奈米孔洞型抗反射膜,系根据如申请专利范围第1-24项中任一项所述之制备方法所制得者,其在可见光范围之反射率小于0.1、穿透率大于0.9。26.如申请专利范围第25项所述之奈米孔洞型抗反射膜,其折射率约1.2 -1.5。27.如申请专利范围第25项所述之奈米孔洞型抗反射膜,其厚度约110-150nm。28.如申请专利范围第25项所述之奈米孔洞型抗反射膜,其具有规则分布之孔洞。图式简单说明:第1图显示抗反射膜之折射率随时效处理时间的变化情形。第2图显示实施例之薄膜样品在可见光波段的反射率与穿透率値。第3图显示旋转涂布与浸渍涂布样品之可见光波段图。第4图显示实施例14、15之反射率量测结果。 |
