| 主权项 |
1.一种有机发光二极体,至少包括: 一阴极与一阳极; 一发光层,设置于该阴极与该阳极之间; 一电洞注入层,设置于该阳极与该发光层之间; 一电洞传输层,设置于该电洞注入层与该发光层之 间;以及 一缓冲层,设置于该电洞注入层与该电洞传输层之 间。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该电洞注入层系由星状芳香胺化合物及P型掺杂 材料所组成。 3.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体,其 中该星状芳香胺化合物包括:1T-NANA、2T-NANA或m- MTDATA。 4.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体,其 中该P型掺杂材料包括:TCNQ、F4-TCNQ或DDQ。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该电洞传输层为三级芳香胺化合物。 6.如申请专利范围第5项所述之有机发光二极体,其 中该三级芳香胺化合物包括:NPB,HT2,TPD,DPFL-NPB,DPFL- TPD,DMFL-NPB,DPML-TPD,Spiro-NPB或Spiro-TAD。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该缓冲层为该电洞注入层以及该电洞传输层之 混合层。 8.如申请专利范围第7项所述之有机发光二极体,其 中该电洞注入层包括星状芳香胺化合物,而该缓冲 层除星状芳香胺化合物外更包括一电洞传输材料 。 9.如申请专利范围第8项所述之有机发光二极体,其 中该电洞传输材料为三级芳香胺化合物。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该缓冲层系由星状芳香胺化合物、三级芳香 胺化合物及P型掺杂材料所组成。 11.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该星状芳香胺化合物包括:1T-NANA、2T-NANA或m- MTDATA。 12.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该P型掺杂材料包括:TCNQ、F4-TCNQ或DDQ。 13.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该三级芳香胺化合物包括:NPB,HT2,TPD,DPFL-NPB, DPFL-TPD,DMFL-NPB,DPML-TPD,Spiro-NPB或Spiro-TAD。 14.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该星状芳香胺化合物与该三级芳香胺化合物 之体积比介于1:10至10:1。 15.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该星状芳香胺化合物与该三级芳香胺化合物 之体积比约1:1。 16.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体, 其中该P型掺杂物约占该缓冲层总体积的1%至10%。 17.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该缓冲层与该电洞注入层之厚度比大抵介于 10:1至1:10之间。 18.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该电洞注入层之厚度介于15至200nm之间。 19.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该缓冲层之厚度介于15至200nm之间。 20.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极至少其中之一为一透明电极 。 21.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极包括:金属、金属合金、透明 金属氧化物或上述之混合层。 22.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极之材质相同。 23.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极之材质不同。 24.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该发光层为萤光或磷光发光材。 25.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中在该阴极与该发光层之间更包括一电子传输 层。 26.如申请专利范围第22项所述之有机发光二极体, 其中在该电子传输层与该阴极之间更包括一电子 注入层。 27.一种显示器,包括: 一如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体; 以及 一驱动电路,耦接至该有机发光二极体,以制动该 有机发光二极体。 28.如申请专利范围第27项所述之显示器,其中该驱 动电路包括一薄膜电晶体。 图式简单说明: 第1图为习知有机发光二极体结构之剖面图。 第2图为本发明有机发光二极体结构之剖面图。 |
