| 主权项 |
1.一种微影装置的一投影系统之决定像差的方法, 其包含: 在该微影装置中投射一参考测试图案; 在该微影装置中投射一第二测试图案; 测量该参考测试图案与该第二测试图案之最终影 像中的项目之间的相对位移;以及 使用该等测量来决定关于该投影系统之该像差的 资讯, 其中投射该第二测试图案包含进行滤波以选择穿 过该投影系统之特定辐射路径;以及 其中该测量系针对沿一光学轴相对于彼此位移之 平面处所获得之该第二测试图案之复数个影像执 行。 2.如请求项1之方法,其进一步包含,针对该复数个 影像计算该第二测试图案之若干部份之置移关于 沿该光学轴之位移之变化率。 3.如请求项2之方法,其进一步包含,使用该计算之 变化率,针对该第二测试图案之特定部份,计算该 辐射所穿过之该投影系统之一光瞳中的一位置。 4.如请求项1之方法,其中在用于决定该像差资讯之 计算中包括用于该滤波之一滤波器之座标作为可 变参数。 5.如请求项1之方法,其中在决定该像差资讯中包括 用于该滤波之一滤波器所引进的球面像差作为一 可变参数。 6.一种微影装置的一投影系统之决定像差之方法, 其包含: 在该微影装置中投射一参考测试图案; 在该微影装置中投射一第二测试图案; 测量该参考测试图案与该第二测试图案之最终影 像中的项目之间的相对位移;以及 使用该等测量来决定关于该投影系统之该像差的 资讯, 其中投射该第二测试图案包含进行滤波以选择穿 过该投影系统之特定辐射路径;以及 其中在用于该决定之计算中包括该滤波器之座标 作为可变参数。 7.一种微影装置的一投影系统之决定像差的方法, 其包含: 在该微影装置中投射一参考测试图案; 在该微影装置中投射一第二测试图案; 测量该参考测试图案与该第二测试图案之最终影 像中的项目之间的相对位移;以及 使用该等测量来决定关于该投影系统之该像差的 资讯, 其中投射该第二测试图案包含进行滤波以选择穿 过该投影系统之特定辐射路径;以及 其中在决定该像差资讯中包括用于该滤波之一滤 波器所引进的球面像差作为一可变参数。 8.如请求项7之方法,其中使用该球面像差来校正该 参考测试图案与该第二测试图案之最终影像之部 份之间所测量之位移。 9.一种元件制造方法,其包含: 将一图案化的辐射光束投射至一基板之一目标部 份上,以及 校正该像差,以减小被投射到该基板之该目标部份 上之该图案化光束之像差。 10.一种根据请求项9之方法所制造的半导体元件。 图式简单说明: 图1说明依据本发明之一具体实施例的微影装置; 图2、3与4说明用于本发明之具体实施例之测试图 案曝光之范例; 图5与6分别系说明第一与第二测试图案之成像之 投影系统之概略性断面图; 图7与8系用于说明本发明之具体实施例之作业之 投影系统之概略性断面图。 |
