| 主权项 |
1.一种形成具粗糙表面之复晶矽的方法的方法,其步骤包括有:提供一晶圆;利用一化学气相沉积法于该晶圆上沉积一复晶矽层;以及利用一蚀刻液对该复晶矽层进行一蚀刻制程,其中该蚀刻液之成分包括氢氧化铵、过氧化氢及去离子水的混合液(SC-1)。2.如申请专利范围第1项所述之形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其中该气相沉积法系可为一低压气相化学沉积法(LPCVD)。3.如申请专利范围第2项所述之形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其中该低压化学气相沉积法系藉由将矽甲烷(SiH4)经加热后解离后,来沉积该复晶矽层。4.一种形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其步骤包括有:提供一晶圆;利用一化学气相沉积法于该晶圆上沉积一复晶矽层,并于该复晶矽层之晶粒成长时,通入一气氛;以及利用一蚀刻液对该复晶矽层进行一蚀刻制程,其中该蚀刻液系为氢氟酸(HF)。5.如申请专利范围第4项所述之形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其中该气氛为含氧之气体,例如氧气、一氧化氮、氧化亚氮。6.如申请专利范围第4项所述之形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其中该气相沉积法系可为一低压气相化学沉积法(LPCVD)。7.如申请专利范围第4项所述之形成具粗糙表面之复晶矽的方法,其中该低压化学气相沉积法系藉由将矽甲烷(SiH4)经加热后解离后,来沉积该复晶矽层。图式简单说明:第一图至第二图系为利用本发明之方法形成具粗糙表面之复晶矽层的示意图。第三图至第四图系为利用本发明之另一方法形成具粗糙表面之复晶矽层的示意图。 |
