| 主权项 |
1.一种介电体陶瓷组合物,至少包括:含有藉由[( CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示之组成之介电体氧化 物之主成分、含有Mn氧化物及Al氧化物之第1副成 分以及至少含主成分为SiO2的玻璃成分, 其特征在于: 显示前述主成分所包括之化学式中之组成莫尔数 比之记号m、x、y及z系包括0.90≦m≦1.04、0.5≦x≦1 、0.01≦y≦0.10、0<z≦0.20之关系, 其中该介电体陶瓷组合物,利用预烧包含该主成分 所构成之主成分原料、该第1副成分所构成之副成 份原料及该玻璃成分所构成之玻璃成分原料的原 料混合物后,进行固相反应获得预烧物,并接着以 烧结形成。 2.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,相对于前述主成分100mol%而包括将前述Mn氧化物换 算成为MnO之0.2~5mol%以及将前述Al氧化物换算成为Al 2O3之0.1~ 10mol%。 3.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,相对于前述主成分100mo1%而包括将V氧化物换算成 为V2O5之0~2.5mol%(但是、不包括0)。 4.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,前述玻璃成分系藉由[(BavCa1-v)O]wSiO2所表示,前述 玻璃成分之组成式中之v、w系分别在0≦v≦1、0.5 ≦w≦4.0之范围,前述玻璃成分系相对于前述主成 分100mo1%而含有0.5~15mo1%。 5.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,相对于前述主成分100mo1%而包括0.02~1.5mo1%之含有Sc 及Y之稀土类元素中之至少一种。 6.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,相对于前述主成分100mo1%而包括0.02~1.5mo1%之Nb、Mo 、Ta、W及Mg内之至少一种。 7.如申请专利范围第1项之介电体陶瓷组合物,其中 ,显示前述主成分所包括之化学式中之组成莫尔数 比之记号m系1.005≦m≦1.025。 8.一种介电体陶瓷组合物之制造方法,至少包括:含 有藉由[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示之组成之介 电体氧化物之主成分、含有Mn氧化物及Al氧化物之 第1副成分以及至少含主成分为SiO2的玻璃成分, 显示前述主成分所包括之化学式中之组成莫尔数 比之记号m、x、y及z系包括0.90≦m≦1.04、0.5≦x≦1 、0.01≦y≦0.10、0<z≦0.20之关系,且 至少包含以该主成分所构成之主成分原料、以该 第1副成分所构成之副成份原料及以该玻璃成分所 构成之玻璃成分原料之制程; 准备混合前述原料之制程; 使用乾式合成法,总括地预烧前述混合之原料,进 行固相反应,得到预烧物之制程;以及 正式烧成前述预烧物,得到前述介电体陶瓷组合物 之制程。 9.一种电子元件,包括介电体层, 其特征在于: 前述介电体层系藉由申请专利范围第1至7项中任 一项所记载之介电体陶瓷组合物所构成。 10.一种电子元件,交互地层积内部电极和介电体层 , 其特征在于: 前述介电体层系藉由申请专利范围第1至7项中任 一项所记载之介电体陶瓷组合物所构成。 11.如申请专利范围第10项之电子元件,其中,前述内 部电极系至少含有镍。 12.如申请专利范围第10项之电子元件,其中,前述介 电体层之结晶之平均粒径系2m以下。 13.一种电子元件之制造方法,制造申请专利范围第 10项所记载之电子元件, 其特征在于: 同时在1300℃以下,正式烧成前述内部电极和介电 体层。 图式简单说明: 图1系本发明之某一实施形态之层积陶瓷电容器之 剖面图。 图2A系使用无添加Hf之介电体陶瓷组合物之电容器 之要部扩大相片,图2B系使用添加Hf之介电体陶瓷 组合物之电容器之要部扩大相片。 图3系显示添加Hf及无添加Hf之介电体陶瓷组合物 之正式烧成时之热收缩率(TMA)曲线之图形。 图4A系显示藉由液相法所得到之介电体陶瓷组合 物之tan之温度依附性之图形,图4B系显示藉由本 发明之实施例之固相法所得到之介电体陶瓷组合 物之tan之温度依附性之图形。 |
