| 主权项 |
1.一种用于藉由使用一电浆蚀刻设备及一碳氟化 合物蚀刻气体来电浆蚀刻一绝缘层之方法,该方法 包含: 回应于F0/C0之値,控制出现在该电浆蚀刻设备之电 浆包围部份之最外表面上的鞘电位,其中C0及F0各 表示构成该碳氟化合物蚀刻气体之碳原子及氟原 子之总量,以避免该电浆包围部份上之残余物沉积 。 2.如请求项1之方法,其中该蚀刻气体含有氧气,其 量达到满足C0>O0之条件,其中O0表示该蚀刻气体中 之氧原子总量。 3.如请求项1之方法,其中将出现在该电浆蚀刻设备 之该电浆包围部份之该最外表面上的该鞘电位保 持为高于使得该电浆包围部份上不发生残余物沉 积之电位,且保持为低于使得该构成该电浆包围部 份之材料实质上经受蚀刻之电位。 4.如请求项1之方法,其中构成该绝缘层之该材料包 含矽原子。 5.一种用于藉由使用一电浆蚀刻设备及一碳氟化 合物蚀刻气体来电浆蚀刻一具有至少一绝缘层之M 层结构(M≧2)物的每一层之方法,该方法包含: 当第m层(m=1、2、…M)经受电浆蚀刻时回应Fm-0/Cm-0 之値,控制出现在该电浆蚀刻设备之电浆包围部份 之最外表面上的鞘电位,其中Cm-0及Fm-0各表示构成 用于该第m层之电浆蚀刻之该碳氟化合物蚀刻气体 之碳原子及氟原子之总量,以避免该电浆包围部份 上之残余物沉积。 6.如请求项5之方法,其中用于电浆蚀刻至少该绝缘 层之该蚀刻气体含有氧气,其量使得满足C0>O0之条 件,其中O0表示该蚀刻气体中该氧原子之总量。 7.如请求项5之方法,其中将出现在该电浆蚀刻设备 之该电浆包围部份之该最外表面上的该鞘电位保 持为高于使得该电浆包围部份上不发生残余物沉 积之电位,且保持为低于使得该构成该电浆包围部 份之材料实质上经受蚀刻之电位。 8.如请求项5之方法,其中构成该绝缘层之该材料含 矽原子。 图式简单说明: 图1为展示一平行平板型电浆蚀刻设备之示意图, 该平行平板型电浆蚀刻设备适于根据本发明一实 施例之电浆蚀刻方法; 图2为展示离子能量与SiO2之蚀刻速率之间关系之 曲线图,该关系系当一SiO2绝缘层经受具有多种蚀 刻剂之电浆蚀刻时所观察到; 图3为展示自图2中之曲线图所获得之F0/C0値(Fc)与 在该电浆蚀刻设备之电浆包围部份之最外表面上 出现之鞘电位VS之间之关系的曲线图; 图4为展示该电浆蚀刻设备之电浆包围部份上之残 余物沉积厚度及蚀刻速率随时间之改变的曲线图, 二者均观察于实例1及比较实例中之SiO2绝缘层上 的电浆蚀刻中; 图5为展示以C4F8作为蚀刻气体在SiO2、SiOH及SiOCH上 执行之电浆蚀刻中之蚀刻速率的曲线图;及 图6为展示电浆蚀刻设备之电浆包围部份上之残余 物沉积的示意图,该沉积发生于一五层结构之物件 上之电浆蚀刻期间。 |
