| 主权项 |
1.一种调节溶液滴定度之方法,其中将预定数量之 溶液中的产物根据时间间隔(称为添加时间间隔) 加入到溶液中,该时间间隔与溶液中该产物之时间 降解系数D和添加时溶液之总体积Vt的乘积成正比 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其于每次添加产物 之后计算至下次注入前之时间间隔。 3.如申请专利范围第2项之方法,其于某段短于该添 加时间间隔之特定时间间隔后便量测该溶液之总 体积。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中当总体积减少 时,计算新的添加时间间隔。 5.如申请专利范围第1项之方法,该添加时间间隔等 于KDVt,其中K为取决于溶液搅拌速度及包含溶液 之容器之几何特性的系数。 6.如申请专利范围第2项之方法,该添加时间间隔等 于KDVt,其中K为取决于溶液搅拌速度及包含溶液 之容器之几何特性的系数。 7.如申请专利范围第3项之方法,该添加时间间隔等 于KDVt,其中K为取决于溶液搅拌速度及包含溶液 之容器之几何特性的系数。 8.如申请专利范围第4项之方法,该添加时间间隔等 于KDVt,其中K为取决于溶液搅拌速度及包含溶液 之容器之几何特性的系数。 9.如申请专利范围第1至8项中任一项之方法,其中 溶液中该产物之降解系数系预先根据含有该溶液 之容器之填充度和/或该容器之搅拌速率测量。 10.如申请专利范围第1至8项中任一项之方法,其更 包含以一电极滴定器测定该溶液之滴定度。 11.如申请专利范围第9项之方法,其更包含以一电 极滴定器测定该溶液之滴定度。 12.如申请专利范围第10项之方法,其包含当该电极 滴定器测得之滴定度低于一预设最小値或高于一 预设最高値时,引发一警报。 13.如申请专利范围第11项之方法,其包含当该电极 滴定器测得之滴定度低于一预设最小値或高于一 预设最高値时,引发一警报。 14.如申请专利范围第12项之方法,其中当经由该滴 定器量测之値低于该最大値时,于引发该警报之前 ,该电极滴定器至少会做二次连续测量。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中当经由该滴 定器量测之値低于该最大値时,于引发该警报之前 ,该电极滴定器至少会做二次连续测量。 16.如申请专利范围第1至8项中任一项之方法,其中 该溶液为用以研磨半导体基板之溶液。 17.如申请专利范围第9项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 18.如申请专利范围第10项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 19.如申请专利范围第11项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 20.如申请专利范围第12项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 21.如申请专利范围第13项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 22.如申请专利范围第14项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 23.如申请专利范围第15项之方法,其中该溶液为用 以研磨半导体基板之溶液。 24.一种研磨半导体基板之方法,其包含使用如申请 专利范围第1至23项中任一项之方法调节之溶液。 25.一种控制溶液滴定度之调节之装置,该溶液包含 一产物,其包含将预定数量之该产物根据时间间隔 加入到该溶液中之机构,该时间间隔称为添加时间 间隔,其与溶液中该产物之时间降解系数D和添加 时溶液之总体积Vt的乘积成正比。 26.如申请专利范围第25项之装置,其更包含用以于 每次加入该产物之后,测定到下次注入之前之时间 。 27.一种调节溶液滴定度之系统,其包含根据申请专 利范围第25或26项之装置,以及测定含有该溶液之 容器之填充体积之机构。 28.如申请专利范围第27项之系统,其中用以测定填 充体积之机构为类比机构。 29.如申请专利范围第27或28项之调节系统,其更包 含一电极滴定装置。 30.一种制造化学溶液之系统,包含: 根据申请专利范围第27至29项中任一项之调节系统 ; 用以传送该溶液之机构(8)。 31.一种制造半导体基板之系统,包含研磨该基板之 单元,以及制造申请专利范围第30项之化学研磨溶 液之系统。 图式简单说明: 图1为习知之调节系统; 图2为槽之各种不同填充状态; 图3为根据本发明之调节系统; 图4为槽中产物之分解曲线; 图5为注射根据本发明系统中之产物之装置。 |
