| 主权项 |
1.一种半导体显示装置,包含: 一图素部分;以及 一半导体电路,其产生用来在图素部分显示影像的 讯号,该半导体电路具有一电容器, 其中,图素部分和半导体电路包含薄膜电晶体,且 该薄电晶体具有主动层、邻近主动层的闸极电极, 而闸极绝缘膜插入其间; 覆盖薄膜电晶体的第一无机绝缘膜, 形成与第一无机绝缘膜接触的有机树脂膜,该有机 树脂膜具有第一开口部分和第二开口部分; 覆盖有机树脂膜的第二无机绝缘膜; 其中,第一和第二无机绝缘膜在第一开口部分和第 二开口部分中彼此接触, 其中,接触孔形成在第一开口部分中的闸极绝缘膜 以及第一和第二无机绝缘膜中,使主动层被暴露, 其中,接线被形成在第二无机绝缘膜上并经由接触 孔与主动层接触, 其中,电容器具有由与闸极电极相同的导电膜形成 的第一电极、由与接线相同的导电膜形成的第二 电极、以及与第二开口部分中的第一电极和第二 电极重叠的部分第一和第二无机绝缘膜,和 其中,当有机树脂膜从第一和第二开口部分分隔开 时,有机树脂膜表面的曲率半径连续地变得更大。 2.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中有 机树脂膜是一正性光敏有机树脂膜。 3.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中半 导体电路是升压电路、电容分压型D/A转换电路、 DRAM、类比锁存电路、或保护电路之一。 4.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中有 机树脂膜是丙烯酸。 5.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中有 机树脂膜在第一和第二开口部分的末端处,在其切 线上相对于基底倾斜30度或以上和65度或以下。 6.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中第 一或第二无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或氮 氧化铝。 7.一种半导体显示装置,包含: 一图素部分;以及 一半导体电路,其产生用来在图素部分显示影像的 讯号,该半导体电路具有一电容器, 其中,图素部分和半导体电路包含薄膜电晶体,且 该薄膜电晶体具有主动层、邻近主动层的闸极电 极,而闸极绝缘膜插入其间, 覆盖薄膜电晶体的第一无机绝缘膜, 形成与第一无机绝缘膜接触的有机树脂膜,该有机 树脂膜具有第一开口部分和第二开口部分; 覆盖有机树脂膜的第二无机绝缘膜; 其中,第一和第二无机绝缘膜在第一开口部分和第 二开口部分中彼此接触, 其中,接触孔形成在第一开口部分中的闸极绝缘膜 以及第一和第二无机绝缘膜中,使主动层被暴露, 其中,接线被形成在第二无机绝缘膜上并经由接触 孔与主动层接触, 其中,电容器具有由与闸极电极相同的导电膜形成 的第一电极、由与接线相同的导电膜形成的第二 电极、以及与第二开口部分中的第一电极和第二 电极重叠的部分第一和第二无机绝缘膜,和 其中,有机树脂膜表面的剖面形状在第一和第二开 口部分的末端处形成主轴位于平行于基底的表面 内的抛物线。 8.如申请专利范围第7项之半导体显示装置,其中有 机树脂膜是一正性光敏有机树脂膜。 9.如申请专利范围第7项之半导体显示装置,其中半 导体电路是升压电路、电容分压型D/A转换电路、 DRAM、类比锁存电路、或保护电路之一。 10.如申请专利范围第7项之半导体显示装置,其中 有机树脂膜是丙烯酸。 11.如申请专利范围第7项之半导体显示装置,其中 有机树脂膜在第一和第二开口部分的末端处,在其 切线上相对于基底倾斜30度或以上和65度或以下。 12.如申请专利范围第7项之半导体显示装置,其中 第一或第二无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或 氮氧化铝。 13.一种半导体显示装置,包含: 一薄膜电晶体,其具有主动层、邻近主动层的闸极 电极,而闸极绝缘膜插入其间; 一电容器;以及 一发光元件, 覆盖薄膜电晶体的第一无机绝缘膜; 形成与第一无机绝缘膜接触的有机树脂膜,该有机 树脂膜具有第一开口部分和第二开口部分; 覆盖有机树脂膜的第二无机绝缘膜,其中,第一和 第二无机绝缘膜在第一开口部分和第二开口部分 中彼此接触; 一接触孔,其形成在第一开口部分中的闸极绝缘膜 以及第一和第二无机绝缘膜中,使主动层被暴露; 一接线,其形成在第二无机绝缘膜上,该接线经由 接触孔与主动层接触; 与接线接触的一图素电极; 第二有机树脂膜,其形成在第二无机绝缘膜上覆盖 接线、图素电极、以及第二电极;第二有机树脂膜 具有第三开口部分; 形成在第二有机树脂膜上的第三无机绝缘膜,该第 三无机绝缘膜在第三开口部分中具有第四开口部 分;以及 层叠在第三无机绝缘膜上以便在第四开口部分中 与图素电极接触的电致发光层和相对电极,和 其中,当有机树脂膜从第一、第二、第三开口部分 分隔开时,第一、第二、第三有机树脂膜表面的曲 率半径分别连续地变得更大,和 其中,电容器具有由与闸极电极相同的导电膜形成 的第一电极、由与接线相同的导电膜形成的第二 电极、以及与第二开口部分中的第一电极和第二 电极重叠的部分第一和第二无机绝缘膜。 14.如申请专利范围第13项之半导体显示装置,其中 第一有机树脂膜是一正性光敏有机树脂膜。 15.如申请专利范围第13项之半导体显示装置,其中 第一、第二、或第三有机树脂膜是丙烯酸。 16.如申请专利范围第13项之半导体显示装置,其中 第一、第二、或第三有机树脂膜在开口部分的末 端处,在其切线上相对于基底倾斜30度或以上和65 度或以下。 17.如申请专利范围第13项之半导体显示装置,其中 第三无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或氮氧化 铝。 18.如申请专利范围第13项之半导体显示装置,其中 第一或第二无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或 氮氧化铝。 19.一种半导体显示装置,包含: 一薄膜电晶体,其具有主动层、邻近主动层的闸极 电极,而闸极绝缘膜插入其间; 一电容器;以及 一发光元件, 覆盖薄膜电晶体的第一无机绝缘膜; 形成与第一无机绝缘膜接触的有机树脂膜,该有机 树脂膜具有第一开口部分和第二开口部分; 覆盖有机树脂膜的第二无机绝缘膜,其中,第一和 第二无机绝缘膜.在第一开口部分和第二开口部分 中彼此接触; 一接触孔,其形成在第一开口部分中的闸极绝缘膜 以及第一和第二无机绝缘膜中,使主动层被暴露; 一接线,其形成在第二无机绝缘膜上,该接线经由 接触孔与主动层接触; 与接线接触的一图素电极; 第二有机树脂膜,其形成在第二无机绝缘膜上覆盖 接线、图素电极、以及第二电极;第二有机树脂膜 具有第三开口部分; 形成在第二有机树脂膜上的第三无机绝缘膜,该第 三无机绝缘膜在第三开口部分中具有第四开口部 分;以及 层叠在第三无机绝缘膜上以便在第四开口部分中 与图素电极接触的电致发光层和相对电极,和 其中,第一、第二、第三有机树脂膜表面的剖面形 状在第一、第二、第三开口部分的末端处形成主 轴位于平行于基底的表面内的抛物线,和 其中,电容器具有由与闸极电极相同的导电膜形成 的第一电极、由与接线相同的导电膜形成的第二 电极、以及与第二开口部分中的第一电极和第二 电极重叠的部分第一和第二无机绝缘膜。 20.如申请专利范围第19项之半导体显示装置,其中 第一有机树脂膜是一正性光敏有机树脂膜。 21.如申请专利范围第19项之半导体显示装置,其中 第一、第二、或第三有机树脂膜是丙烯酸。 22.如申请专利范围第19项之半导体显示装置,其中 第一、第二、或第三有机树脂膜在开口部分的末 端处,在其切线上相对于基底倾斜30度或以上和65 度或以下。 23.如申请专利范围第19项之半导体显示装置,其中 第三无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或氮氧化 铝。 24.如申请专利范围第19项之半导体显示装置,其中 第一或第二无机绝缘膜是氮化矽、氮氧化矽、或 氮氧化铝。 图式简单说明: 图1A-1D是开口部分中的光敏丙烯酸膜的剖面图; 图2是开口部分中的光敏正性聚醯亚胺膜的剖面图 ; 图3A-3C是接触孔的剖面图; 图4A-4D显示接触孔与接线之间的位置关系; 图5A和5B是包括在本发明之半导体显示装置中的TFT 和储存电容器的剖面图; 图6A和6B分别是本发明的半导体显示装置的驱动电 路的方块图和电路图; 图7A和7B分别是升压电路的掩模图和电路图; 图8A-8C显示本发明的半导体显示装置的制造方法; 图9A-9C显示本发明的半导体显示装置的制造方法; 图10A-10C显示本发明的半导体显示装置的制造方法 ; 图11A-11C显示本发明的半导体显示装置的制造方法 ; 图12A和12B显示本发明的半导体显示装置的制造方 法; 图13A-13D显示本发明的半导体显示装置的剖面图; 图14A和14B显示本发明的半导体显示装置的剖面图; 图15A和15B显示本发明的半导体显示装置的制造方 法; 图16是木发明的半导体显示装置的平面图; 图17是方块图,显示发光装置的控制器的结构; 图18是本发明的半导体显示装置的剖面图; 图19A和19B分别是本发明的半导体显示装置的方块 图和电路图; 图20A和20B是方块图,显示包括在本发明的半导体显 示装置中的CPU和ASIC的结构; 图21是本发明的半导体显示装置的剖面图; 图22A-22H是采用本发明半导体显示装置的电子设备 图; 图23是包括在本发明的半导体显示装置中的升压 电路的电路图; 图24显示TFT通道长度与临界値的曲线图; 图25A和25B显示TFT的CV特性的曲线图; 图26A和26B是开口部分中非光敏丙烯酸膜的剖面图; 图27A和27B是开口部分中正性光敏丙烯酸膜的剖面 图; 图28A和28B是开口部分中负性光敏丙烯酸膜的剖面 图;和 图29A和29B是开口部分中正性光敏聚醯亚胺膜的剖 面图。 |
